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公开(公告)号:CN105764888A
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201480058796.4
申请日:2014-11-19
申请人: 株式会社三和化学研究所 , 宇部兴产株式会社
IPC分类号: C07D209/52 , A61K31/403 , A61K31/454 , A61P17/04 , A61P43/00 , C07D401/06 , C07D403/06
摘要: 本发明的课题在于提供一种副作用较小,安全性较高的具有μ类阿片受体拮抗作用的化合物。本发明是一种以下述通式(I)表示的化合物或其药理学上可接受的盐,式(I)中,R1以及R2相同或者不同,分别表示氢原子或者卤素原子,(但是,R1以及R2不同时为卤素原子),R3表示C1?C3的烷基或者乙烯基,R4表示式(II)或者式(III),式(II)中,R5表示羟基或者C1?C3的烷氧基,R6以及R7相同或者不同,分别表示氢原子或者卤素原子,式(III)中,环A表示的是被卤素原子取代的C5?C7的环烷基,也可以是被C1?C3的烷氧基取代的被卤素原子取代的C5?C7的环烷基;或经卤素原子取代的5?7元饱和杂环基。
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公开(公告)号:CN105764888B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201480058796.4
申请日:2014-11-19
申请人: 株式会社三和化学研究所 , 宇部兴产株式会社
IPC分类号: C07D209/52 , A61K31/403 , A61K31/454 , A61P17/04 , A61P43/00 , C07D401/06 , C07D403/06
摘要: 本发明的课题在于提供一种副作用较小,安全性较高的具有μ类阿片受体拮抗作用的化合物。本发明是一种以下述通式(I)表示的化合物或其药理学上可接受的盐,式(I)中,R1以及R2相同或者不同,分别表示氢原子或者卤素原子,(但是,R1以及R2不同时为卤素原子),R3表示C1‑C3的烷基或者乙烯基,R4表示式(II)或者式(III),式(II)中,R5表示羟基或者C1‑C3的烷氧基,R6以及R7相同或者不同,分别表示氢原子或者卤素原子,式(III)中,环A表示的是被卤素原子取代的C5‑C7的环烷基,也可以是被C1‑C3的烷氧基取代的被卤素原子取代的C5‑C7的环烷基;或经卤素原子取代的5‑7元饱和杂环基。
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公开(公告)号:CN1167689C
公开(公告)日:2004-09-22
申请号:CN00806954.9
申请日:2000-04-27
申请人: 宇部兴产株式会社
IPC分类号: C07D263/56 , C07C235/24 , A01N43/76
CPC分类号: C07D263/56 , A01N43/76 , C07C235/24
摘要: 本发明提供了以下式(1)表示的苯并噁唑化合物、其制备方法以及以含其为有效成分的除草剂:式中,R1~R4表示氢原子、C1~6烷基、C1~4烷氧基、C1~4卤代烷基、C1~1卤代烷氧基、卤原子、硝基、氰基等;R5表示C1~1卤代烷基、C1~1卤代烷氧基、卤原子、硝基、氰基等;R6表示氢原子、卤原子、氰基、硝基等;R7表示氢原子、C1~6烷基、C1~4卤代烷基等;X表示氧、硫、SO或SO2。
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公开(公告)号:CN109496231A
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201780045821.9
申请日:2017-07-25
申请人: 宇部兴产株式会社
摘要: 本发明提供一种细胞培养装置,其特征在于,具备聚合物多孔质膜、具有上述聚合物多孔质膜的细胞培养部、贯通上述细胞培养部的轴、和浸渍上述细胞培养部的至少一部分的培养基槽,其中,上述聚合物多孔质膜是包括具有多个孔的表面层A和表面层B、及夹在上述表面层A和表面层B之间的大孔层的三层结构的聚合物多孔质膜,其中,上述表面层A中存在的孔的平均孔径小于上述表面层B中存在的孔的平均孔径,上述大孔层具有与上述表面层A和B结合的隔壁、以及被该隔壁及上述表面层A和B包围的多个大孔,上述表面层A和B中的孔与上述大孔连通,上述细胞培养部以上述轴为中心旋转,细胞在气相和液相中交替培养。
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公开(公告)号:CN102149709A
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN200980135279.1
申请日:2009-09-09
申请人: 宇部兴产株式会社
IPC分类号: C07D401/14 , A61K31/501 , A61P19/02 , A61P29/00 , A61P43/00
CPC分类号: C07D401/14 , A61K31/501
摘要: 本发明涉及一种作为医药品十分有效的4-(2-氨基吡啶-4-基)-3-(4-氟苯基)-1-(1,4,5,6-四氢-6-氧代哒嗪-3-基)-1H-吡唑甲磺酸盐的新型晶形及其制造方法。本发明提供两种叫做A型晶体以及B型晶体的稳定的多晶型,以及一种能够获得相关多晶型的各自单一晶体的制造方法。
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