公开(公告)号：CN108352376A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680066619.X

申请日：2016-10-11

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 久保公彦 ,  古野绫太

IPC: H01L23/50 ,  C25D5/18 ,  C25D7/00 ,  C25D21/00

CPC classification number: C25D5/18 ,  C25D7/00 ,  C25D21/00 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种具备引线框架主体和其表面上的镀膜的引线框架的制造方法。该制造方法具有如下的镀敷工序：以与引线框架主体的第一主面相对的方式配置与极性反转电源连接的第一电极，并且以与第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置与脉冲电源连接的第二电极，进行镀敷处理，在第一主面、第二主面、以及引线框架主体的侧面上形成镀膜。

公开(公告)号：CN111092065A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911006332.X

申请日：2019-10-22

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 古野绫太 ,  久保公彦

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种引线框架，其具备基材与覆盖基材的表面层。表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。由针状氧化物构成的表面层的厚度为30nm以上。针状氧化物的尖端部具有比基端部小的原子比率(Cu/O)。

公开(公告)号：CN106373933A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610545415.6

申请日：2016-07-12

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 石桥贵弘 ,  久保公彦 ,  古野绫太 ,  胜田孝明

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586 ,  H01L2224/16245 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供引线框及其制造方法，所述引线框包括：一个或两个以上的含有铜材料或铜镀层的焊料连接区域；以及含有氧化铜膜的模制树脂的贴紧区域，所述焊料连接区域露出于所述引线框的表面。所述引线框的制造方法包括：在铜制的引线框件的表面或被镀了铜的引线框件的表面所包含的模制树脂的贴紧区域，形成抗蚀膜；通过用金属对所述引线框件的表面所包含的、一个或两个以上的焊料连接区域进行施镀处理，由此形成镀膜；除去所述抗蚀膜；以及通过对所述模制树脂的贴紧区域进行氧化处理，由此形成氧化铜膜。

公开(公告)号：CN111092065B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN201911006332.X

申请日：2019-10-22

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 古野绫太 ,  久保公彦

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种引线框架，其具备基材与覆盖基材的表面层。表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。由针状氧化物构成的表面层的厚度为30nm以上。针状氧化物的尖端部具有比基端部小的原子比率(Cu/O)。

公开(公告)号：CN115036284A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210208191.5

申请日：2022-03-04

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 古贺健斗 ,  宫内义仁 ,  渡边和则 ,  久保公彦

IPC: H01L23/495

Abstract: 提供一种用于制造半导体装置的金属部件，包括：具有导电性的基材；镍层，其形成在基材的表面上并且包含镍作为主要成分；以及形成在镍层的表面上的贵金属层。镍层包括不含磷的第一镍层以及包含0.01至1的重量百分比的磷的第二镍层。根据本公开的金属部件，在能够保持良好特性的同时能够减小镍层的厚度。

公开(公告)号：CN108352376B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201680066619.X

申请日：2016-10-11

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 久保公彦 ,  古野绫太

IPC: H01L23/50 ,  C25D5/18 ,  C25D7/00 ,  C25D21/00

Abstract: 本发明提供一种具备引线框架主体和其表面上的镀膜的引线框架的制造方法。该制造方法具有如下的镀敷工序：以与引线框架主体的第一主面相对的方式配置与极性反转电源连接的第一电极，并且以与第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置与脉冲电源连接的第二电极，进行镀敷处理，在第一主面、第二主面、以及引线框架主体的侧面上形成镀膜。

公开(公告)号：CN118366949A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311849332.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 久保公彦 ,  古野绫太 ,  国竹智克

IPC: H01L23/495 ,  C25D3/46 ,  C25D7/00

Abstract: 提供一种用于半导体装置的制造的金属部件，其具备：具有导电性的基材、以及形成于所述基材的表面的整面或者一部分的贵金属镀层，所述贵金属镀层在表面具有块状的凸部。

公开(公告)号：CN115692353A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210824388.1

申请日：2022-07-14

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 久保公彦 ,  古野绫太

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种金属部件，其用于半导体装置的制造，并且具备：基材，具有导电性；以及贵金属镀层，形成于所述基材的表面的整面或者一部分，所述贵金属镀层在表面具有凹凸形状，所述凹凸形状的凸部具有0.3以上的高宽比。