功能性元件以及温度传感器

    公开(公告)号:CN109642830B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN201780053358.2

    申请日:2017-08-25

    IPC分类号: G01K11/00 C01G23/04

    摘要: 本发明的功能性元件(40A)包含功能性氧化钛,所述功能性氧化钛具有β相五氧化三钛(β‑Ti3O5)的晶粒和λ相五氧化三钛(λ‑Ti3O5)的晶粒中的1种以上的晶粒,具有加热到350℃以上时β相五氧化三钛(β‑Ti3O5)的晶粒和λ相五氧化三钛(λ‑Ti3O5)的晶粒中的1种以上的晶粒的至少一部分变成二氧化钛(TiO2)的晶粒的性质。温度传感器(1A)具备包含功能性元件(40A)且根据温度变化而物性发生变化的温度传感器主体(10A)。

    晕车症估计系统、移动车辆、晕车症估计方法和晕车症估计程序

    公开(公告)号:CN111867459B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN201980018826.1

    申请日:2019-03-13

    摘要: 本发明解决了如下问题:提供了可以减小晕车症发作的可能性的晕车症估计系统、移动车辆、晕车症估计方法和晕车症估计程序。晕车症估计系统(10)包括估计单元(412)和输出单元辆上的人员的状况的人员信息来执行估计所述人员是否处于会导致他或她发作晕车症的环境中的估计处理。输出单元(413)被配置为输出由(413)。估计单元(412)被配置为基于指示移动车(56)对比文件JP 2007236644 A,2007.09.20JP 2008120271 A,2008.05.29JP 2010016509 A,2010.01.21JP 2012131269 A,2012.07.12JP 2015182564 A,2015.10.22US 2014152792 A1,2014.06.05US 5221246 A,1993.06.22WO 2006006553 A1,2006.01.19CN 202102613 U,2012.01.04US 2016005320 A1,2016.01.07彭彬彬.运动病发病机理及其诊断方法的研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 医药卫生科技辑》.2016,(第3期),全文.罗琳.高温高湿环境对晕动病的影响及热习服与消退再巩固的研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 医药卫生科技辑》.2012,(第3期),全文.Takada, H;Yamamoto, T;(...);Shiozawa,T.Effect of a Stereoscopic Movie on theCorrelation between Head Acceleration andBody Sway.LECTURE NOTES IN ARTIFICIALINTELLIGENCE.2009,全文.Donohew, Barnaby Edward.Motionsickness with lateral and rolloscillation Donohew, BarnabyEdward.University of Southampton (UnitedKingdom).2006,全文.

    时间变化元件、物性时间变化预测装置以及电阻断装置

    公开(公告)号:CN110495002A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201880021395.X

    申请日:2018-03-20

    IPC分类号: H01L45/00 C01G23/04 C04B35/46

    摘要: 本发明的时间变化元件包含时间变化相转移材料,且选自组成、体积、透射率、反射率、电阻以及磁性中的一种以上的物性随着时间推移而变化,所述时间变化相转移材料无论有无来自外部的刺激,制造后随着时间推移,固体间的相转移推进。本发明的物性时间变化预测装置具有包含所述时间变化元件的物性时间变化预测装置主体,预测选自组成、体积、透射率、反射率、电阻以及磁性中的一种以上的物性的经时变化。

    电容器
    8.
    发明公开
    电容器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118830042A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202380025959.8

    申请日:2023-02-24

    IPC分类号: H01G9/055 H01G4/008 H01G9/028

    摘要: 本公开的电容器包含:表面上形成有电介质层(112)的阳极体(111)、阴极引出层(131)以及配置在电介质层(112)与阴极引出层(131)之间且与阴极引出层(131)接触的n型半导体层(120)。构成n型半导体层(120)的n型半导体的功函数为构成阴极引出层(131)的无机导电性材料的功函数以上。