非易失性半导体存储装置

    公开(公告)号:CN104145308B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201380011703.8

    申请日:2013-02-21

    IPC分类号: G11C13/00

    摘要: 非易失性半导体存储装置具备:将多个存储单元(MC)配置为矩阵状而成的存储单元阵列(12);基准位线(RBL);基准源极线(RSL);包含在这些布线之间串联连接的第1以及第2晶体管(TR1,TR2)的至少1个基准单元(RC);与第1晶体管(TR1)的栅极连接的基准字线(RWL);和对第2晶体管(TR2)的栅极电压进行控制的基准驱动器电路(20)。

    非易失性半导体存储装置

    公开(公告)号:CN104685572A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201380049900.9

    申请日:2013-10-29

    IPC分类号: G11C13/00 G11C11/15

    摘要: 本申请提供一种非易失性半导体存储装置。存储器阵列(10)具备:由第一单元晶体管和变阻元件的串联连接所构成的变阻型存储器单元阵列(11)、以及由第二单元晶体管和电阻元件的串联连接所构成的参考单元阵列(12),参考单元阵列(12)的第二单元晶体管被连接至参考源极线(RSL),电阻元件被连接至参考位线(RBL),参考位线(RBL)在存储器单元阵列(11)内连接着虚拟存储器单元,虚拟存储器单元的变阻元件的两端被参考位线(RBL)短路。

    非易失性半导体存储装置

    公开(公告)号:CN104685572B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201380049900.9

    申请日:2013-10-29

    IPC分类号: G11C13/00 G11C11/15

    摘要: 本申请提供一种非易失性半导体存储装置。存储器阵列(10)具备:由第一单元晶体管和变阻元件的串联连接所构成的变阻型存储器单元阵列(11)、以及由第二单元晶体管和电阻元件的串联连接所构成的参考单元阵列(12),参考单元阵列(12)的第二单元晶体管被连接至参考源极线(RSL),电阻元件被连接至参考位线(RBL),参考位线(RBL)在存储器单元阵列(11)内连接着虚拟存储器单元,虚拟存储器单元的变阻元件的两端被参考位线(RBL)短路。

    检测装置、检测方法以及记录介质

    公开(公告)号:CN109791197B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201780059043.9

    申请日:2017-09-26

    摘要: 检测装置具有发送接收部和检测部。发送接收部从车辆所使用的超声波传感器交替地发送第一振幅水平的第一发送波和比第一振幅水平大的第二振幅水平的第二发送波,并从超声波传感器接收与第一发送波相对应的第一反射波和与第二发送波相对应的第二反射波。检测部基于接收水平大于规定阈值的第一反射波或第二反射波来检测障碍物。检测部基于第二反射波中的不包含第二路面反射波的第二反射波来检测障碍物。