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公开(公告)号：CN1576852A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061836.9
申请日：2004-06-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01P15/12
CPC classification number: G01P15/18 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0842
Abstract: 一种半导体加速度传感器包括：框架2，其内具有开口21；挠性横梁3，从框架2延伸到框架2的开口内；重物5，悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动；压电电阻器4，安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6，每个风挡部分6覆盖开口21的一部分，该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围，并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53，每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此，增加每个制动器的断裂强度，并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。
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公开(公告)号：CN1265451A
公开(公告)日：2000-09-06
申请号：CN00102737.9
申请日：2000-02-23
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: F15C5/00 , F16K99/0001 , F16K99/0009 , F16K99/0044 , F16K2099/0074 , F16K2099/008 , H01H2061/006
Abstract: 一种半导体装置是由半导体基板3、可挠区域2、连接半导体基板3和可挠区域2的热绝缘区域7构成。所述热绝缘区域由热绝缘材料聚酰亚胺或氟系树脂构成。所述可挠区域连设的可动元件5,由具有不同热膨胀系数的薄壁部2S和薄膜部2M构成。在所述可挠区域2设置加热部件(例如扩散电阻6),当加热部件进行加热使所述可挠区域的温度变化时,所述可动元件5相对于所述半导体基板3变位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1178272C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN00102737.9
申请日：2000-02-23
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: F15C5/00 , F16K99/0001 , F16K99/0009 , F16K99/0044 , F16K2099/0074 , F16K2099/008 , H01H2061/006
Abstract: 一种半导体装置是由半导体基板(3)、可挠区域(2)、连接半导体基板(3)和可挠区域(2)的热绝缘区域(7)构成。所述热绝缘区域由热绝缘材料聚酰亚胺或氟系树脂构成。所述可挠区域连设的可动元件(5)，由具有不同热膨胀系数的薄壁部(2S)和薄膜部(2M)构成。在所述可挠区域(2)设置加热部件，例如扩散电阻(6)，当加热部件进行加热使所述可挠区域的温度变化时，所述可动元件(5)相对于所述半导体基板(3)变位。
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公开(公告)号：CN102124352A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131560.8
申请日：2009-11-19
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01P15/125 , G01P15/18 , H01L29/84
CPC classification number: G01P15/125 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/0831
Abstract: 本发明提供一种加速度传感器，具备呈矩形形状的可动电极(4、5)、连接在可动电极(4、5)的对置的两边的中央并且支撑可动电极(4、5)并使该可动电极自由摆动的一对横梁(6a、6b、7a、7b)、和分别设置在以连结所述一对横梁(6a、6b、7a、7b)的直线为分界线的所述分界线的一侧及另一侧，且相对于所述可动电极(4、5)的表面空出规定的间隔对置地配置的第1及第2固定电极(20a、20b、21a、21b)。并且，在所述可动电极(4、5)的背面，在所述分界线的一侧及另一侧分别形成有第1及第2凹部(11a、11b、11c、11d、13a、13b、13c、13d、12、14)。
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公开(公告)号：CN1275043C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN03148775.0
申请日：2003-06-25
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
Abstract: 提供一种半导体加速度传感器，能防止在加速度传感器中使用金属层布线时感应的不希望的热应力产生的加速度检测精度下降的能力。这个传感器包括框架、平衡块、由半导体材料制成的至少一对横梁、以及形成在所述横梁的每个上的至少一个电阻器元件，所述平衡块经过横梁被支撑在所述框架中，由此，根据所述电阻器元件的压电效应检测加速度。该传感器还包括形成在每个所述横梁的顶表面中的掺杂半导体层，并作为用于与所述电阻器元件电连接的布线。
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公开(公告)号：CN1480733A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03148775.0
申请日：2003-06-25
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
Abstract: 提供一种半导体加速度传感器，能防止在加速度传感器中使用金属层布线时感应的不希望的热应力产生的加速度检测精度下降的能力。这个传感器包括框架、平衡块、由半导体材料制成的至少一对横梁、以及形成在所述横梁的每个上的至少一个电阻器元件，所述平衡块经过横梁被支撑在所述框架中，由此，根据所述电阻器元件的压电效应检测加速度。该传感器还包括形成在每个所述横梁的顶表面中的掺杂半导体层，并作为用于与所述电阻器元件电连接的布线。
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公开(公告)号：CN1303427C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410061836.9
申请日：2004-06-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01P15/12
CPC classification number: G01P15/18 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0842
Abstract: 一种半导体加速度传感器包括：框架2，其内具有开口21；挠性横梁3，从框架2延伸到框架2的开口内；重物5，悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动；压电电阻器4，安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6，每个风挡部分6覆盖开口21的一部分，该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围，并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53，每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此，增加每个制动器的断裂强度，并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。
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