公开(公告)号：CN1265451A

公开(公告)日：2000-09-06

申请号：CN00102737.9

申请日：2000-02-23

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 友成惠昭 ,  吉田仁 ,  镰仓将有 ,  河田裕志 ,  斋藤公昭 ,  信时和弘 ,  荻原淳 ,  长尾修一

IPC: F16K31/64 ,  F16K11/00 ,  F16K7/00 ,  H01H61/00

CPC classification number: F15C5/00 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0009 ,  F16K99/0044 ,  F16K2099/0074 ,  F16K2099/008 ,  H01H2061/006

Abstract: 一种半导体装置是由半导体基板3、可挠区域2、连接半导体基板3和可挠区域2的热绝缘区域7构成。所述热绝缘区域由热绝缘材料聚酰亚胺或氟系树脂构成。所述可挠区域连设的可动元件5,由具有不同热膨胀系数的薄壁部2S和薄膜部2M构成。在所述可挠区域2设置加热部件(例如扩散电阻6),当加热部件进行加热使所述可挠区域的温度变化时,所述可动元件5相对于所述半导体基板3变位。

公开(公告)号：CN1178272C

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN00102737.9

申请日：2000-02-23

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 友成惠昭 ,  吉田仁 ,  镰仓将有 ,  河田裕志 ,  斋藤公昭 ,  信时和弘 ,  荻原淳 ,  长尾修一

IPC: H01L21/00 ,  H01L49/00 ,  H01H61/01 ,  F16K31/02

CPC classification number: F15C5/00 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0009 ,  F16K99/0044 ,  F16K2099/0074 ,  F16K2099/008 ,  H01H2061/006

Abstract: 一种半导体装置是由半导体基板(3)、可挠区域(2)、连接半导体基板(3)和可挠区域(2)的热绝缘区域(7)构成。所述热绝缘区域由热绝缘材料聚酰亚胺或氟系树脂构成。所述可挠区域连设的可动元件(5)，由具有不同热膨胀系数的薄壁部(2S)和薄膜部(2M)构成。在所述可挠区域(2)设置加热部件，例如扩散电阻(6)，当加热部件进行加热使所述可挠区域的温度变化时，所述可动元件(5)相对于所述半导体基板(3)变位。