公开(公告)号：CN1163474A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102155.4

申请日：1997-01-24

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 中川聪 ,  伊东丰二 ,  尾藤阳二 ,  长野能久

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136

Abstract: 在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40％的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。

公开(公告)号：CN1207587A

公开(公告)日：1999-02-10

申请号：CN98103420.9

申请日：1998-07-24

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  松田明浩 ,  井筒康文 ,  伊东丰二 ,  三河巧 ,  那须彻 ,  长野能久 ,  田中圭介 ,  久都内知惠

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部,形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上,形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。

公开(公告)号：CN1237792A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99107551.X

申请日：1999-05-25

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 田中圭介 ,  长野能久 ,  伊东丰二 ,  三河巧

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76816

Abstract: 一种电容元件及其制造方法是在半导体基板10上依次形成由白金膜构成的下部电极11、由强电介质膜或高电介质膜构成的电容绝缘膜12以及由白金膜构成的上部电极13之后，在上部电极13上整个面堆积保护绝缘膜14。对保护绝缘膜14，利用在其上形成的电阻掩膜15进行干蚀刻，在保护绝缘膜14上形成为第1导电孔16A和第2导电孔16B。然后，利用有机溶剂构成的掩膜剥离剂除去电阻掩膜15。该方法能防止电容元件电特性的劣化。