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公开(公告)号：CN101569024B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880001275.X
申请日：2008-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 龟井英德
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法。在半导体发光装置中，因为从衬底侧面漏出的光会成为损失光，所以若衬底的侧面较大，光的拾取效率就会较低。若要将衬底侧面设为狭小的面，将衬底厚度设为很薄的厚度就可以。然而，若衬底较薄，机械强度就会较低，由于加工时所产生的应力等而会破裂，产品合格率下降。这是一个课题。根据本发明，在衬底上形成发光层，再用蜡材料将衬底固定在磨削台上，然后通过磨削使衬底变薄。之后，使支撑衬底附着在衬底上，弥补衬底强度。将衬底在附着有支撑衬底的状态下固定在电极等上，最后使支撑衬底剥离。
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公开(公告)号：CN101821867B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200880111467.6
申请日：2008-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 龟井英德
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05618 , H01L2224/05623 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法。在将化合物半导体层(3)层叠在单晶基板上，再将单晶基板切割成呈长方形的一个个芯片而形成的半导体发光器件(1)中，已切割的单晶基板即个别芯片状基板(2)的长边侧面(21)和(23)形成为与解理面成规定的角度，使得长边侧面(21)和(23)为与单晶基板的结晶结构的解理面不同的面。因此，能够在不增加制造工序的状态下提供能够谋求提高取光效率的半导体发光器件及使用该半导体发光器件的半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN101855734B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200880115866.X
申请日：2008-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 龟井英德
CPC classification number: H01L33/647 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/0401 , H01L2224/05109 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05673 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06102 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/14132 , H01L2224/14142 , H01L2224/14152 , H01L2224/14177 , H01L2224/14179 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17107 , H01L2224/81192 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/0105 , H01L2924/053 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 在基板的一面形成发光层并在形成有发光层的同一侧形成了n侧电极和p侧电极的半导体发光装置中，需要让半导体发光元件发出的热朝次载具散发。但是，存在下述问题，即：要按照电极的大小及形状多种多样的半导体发光元件依次制作并管理兼具散热功能的连接部件是非常繁琐的。为了解决该问题，本发明公开了一种半导体发光装置。在该半导体发光装置中，使n侧电极附近的p侧凸块的形成密度提高。其结果是，在半导体发光元件和次载具之间n侧电极附近的导热面积增加，使得散热效果提高。
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公开(公告)号：CN102203966A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142895.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 松下电工株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02492 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN101855734A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115866.X
申请日：2008-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 龟井英德
CPC classification number: H01L33/647 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/0401 , H01L2224/05109 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05673 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06102 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/14132 , H01L2224/14142 , H01L2224/14152 , H01L2224/14177 , H01L2224/14179 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17107 , H01L2224/81192 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/0105 , H01L2924/053 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 在基板的一面形成发光层并在形成有发光层的同一侧形成了n侧电极和p侧电极的半导体发光装置中，需要让半导体发光元件发出的热朝次载具散发。但是，存在下述问题，即：要按照电极的大小及形状多种多样的半导体发光元件依次制作并管理兼具散热功能的连接部件是非常繁琐的。为了解决该问题，本发明公开了一种半导体发光装置。在该半导体发光装置中，使n侧电极附近的p侧凸块的形成密度提高。其结果是，在半导体发光元件和次载具之间n侧电极附近的导热面积增加，使得散热效果提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102203966B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200980142895.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02492 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN101335322B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810146096.7
申请日：2002-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种荧光体层、半导体发光装置及其制造方法，所述荧光体层，包括荧光体粒子、超微粒子和透光性树脂，其中：所述荧光体粒子被分散在所述荧光体层中，所述超微粒子的一次粒子的平均直径在3nm以上且50nm以下的范围内。据此，使组合了发光元件与所述荧光体层而得到的半导体发光装置的颜色不均匀较少。
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公开(公告)号：CN101569024A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001275.X
申请日：2008-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 龟井英德
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法。在半导体发光装置中，因为从衬底侧面漏出的光会成为损失光，所以若衬底的侧面较大，光的拾取效率就会较低。若要将衬底侧面设为狭小的面，将衬底厚度设为很薄的厚度就可以。然而，若衬底较薄，机械强度就会较低，由于加工时所产生的应力等而会破裂，产品合格率下降。这是一个课题。根据本发明，在衬底上形成发光层，再用蜡材料将衬底固定在磨削台上，然后通过磨削使衬底变薄。之后，使支撑衬底附着在衬底上，弥补衬底强度。将衬底在附着有支撑衬底的状态下固定在电极等上，最后使支撑衬底剥离。
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公开(公告)号：CN100423296C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN02802992.5
申请日：2002-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7735 , C09K11/7774 , C09K11/7792 , F21S6/00 , F21S6/003 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2224/16145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H05B33/14 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光元件，其为一种包括：基板4、装在基板4上的蓝色LED1及用以密封蓝色LED1之周围且由黄色荧光体粒子2及母材13(透光性树脂)的混合体构成的荧光体层3的芯片型半导体发光元件。黄色荧光体粒子2，吸收蓝色LED1所释放出的蓝色光，释放出在550nm以上且600nm以下的波长区域中具有发光峰值的荧光，且由以化学式(Sr1-a1-b1-xBaa1Cab1Eux)2SiO4(0≤a1≤0.3，0≤b1≤0.8，0＜x＜1)表示的化合物为主体而构成的硅酸盐荧光体。由于该硅酸盐荧光体的粒子容易大致均匀地分散在树脂中，所以可获得良好的白色光。
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公开(公告)号：CN1934720B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200580008768.2
申请日：2005-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , A61K38/24 , C07K14/59 , F21K9/00 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , A61K2300/00 , H01L2924/00014
Abstract: 在由III-V族氮化物半导体构成的基板(10)的主面上形成有包含发光层(14)的多个半导体层。在发光层(14)和基板(10)之间形成有含有铟的第一n型半导体层(12)，从而可以实现能够缓和基板表面的损坏的影响，且特性一致的半导体发光元件。
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