公开(公告)号：CN101473457B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780022648.7

申请日：2007-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下嘉将 ,  龟井英德

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/12 ,  H01L33/382

Abstract: 半导体发光元件，实现不降低生产效率，抑制了因缺陷集中区域的半导体发光元件的电特性的恶化。该半导体发光元件，包括具有比其它区域结晶缺陷密度高的缺陷集中区域(11a)的基板(11)。在基板(11)上，形成了半导体层(12)。缺陷集中区域(11a)上，形成了第一电极(13)。半导体层(12)上，形成了第二电极(14)。

公开(公告)号：CN101473457A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022648.7

申请日：2007-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下嘉将 ,  龟井英德

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/12 ,  H01L33/382

Abstract: 半导体发光元件，实现不降低生产效率，抑制了因缺陷集中区域的半导体发光元件的电特性的恶化。该半导体发光元件，包括具有比其它区域结晶缺陷密度高的缺陷集中区域(11a)的基板(11)。在基板(11)上，形成了半导体层(12)。缺陷集中区域(11a)上，形成了第一电极(13)。半导体层(12)上，形成了第二电极(14)。

公开(公告)号：CN1934720B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200580008768.2

申请日：2005-03-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下嘉将 ,  龟井英德

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  A61K38/24 ,  C07K14/59 ,  F21K9/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  A61K2300/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在由III-V族氮化物半导体构成的基板(10)的主面上形成有包含发光层(14)的多个半导体层。在发光层(14)和基板(10)之间形成有含有铟的第一n型半导体层(12)，从而可以实现能够缓和基板表面的损坏的影响，且特性一致的半导体发光元件。

公开(公告)号：CN1934720A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008768.2

申请日：2005-03-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下嘉将 ,  龟井英德

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  A61K38/24 ,  C07K14/59 ,  F21K9/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  A61K2300/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在由III－V族氮化物半导体构成的基板(10)的主面上形成有包含发光层(14)的多个半导体层。在发光层(14)和基板(10)之间形成有含有铟的第一n型半导体层(12)，从而可以实现能够缓和基板表面的损坏的影响，且特性一致的半导体发光元件。