电子束记录器、照射位置检测方法及照射位置控制方法

    公开(公告)号:CN1677528A

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:CN200510054146.5

    申请日:2005-03-09

    IPC分类号: G11B9/10 G11B7/26 H01J37/04

    摘要: 一种电子束记录器包括:电子光学系统(102),用于将电子束(114)照射在信息记录介质的母盘(109)上;以及屏蔽板(107),用于屏蔽电子束(114)。将电子束照射量检测器(120)设置在屏蔽板(107)上,并沿母盘(109)上的信息记录方向(Y),将其分为第一和第二电子束检测区(120a、120b)。差值检测器(125)计算照射在第一电子束检测部分(120a)上的第一电子束(114)剂量(a)与照射在第二电子束检测部分(120b)上的第二电子束(114)剂量(b)之间的差值(a-b),从而根据所述差值(a-b),检测电子束(114)在与信息记录方向(Y)实质上垂直的方向(X)上的位置。

    位移检测方法、位移检测设备及记录设备

    公开(公告)号:CN1499493A

    公开(公告)日:2004-05-26

    申请号:CN200310104405.1

    申请日:2003-10-28

    IPC分类号: G11B7/00 G11B7/09 G01B11/00

    CPC分类号: G11B7/261 G01S7/4811

    摘要: 一种位移检测方法,其中在要测量的物体的表面上反射光束,根据由于所述物体的表面位移的变化而引起的反射光束的变化,检测所述物体的表面位移,所述方法包括以下步骤:至少从实质上相对的两个光源,使光束入射到所述物体表面上实质上相同的位置上;由位置检测器分别检测在所述物体的表面上反射的光束的方向变化;分别用所述位置检测器接收到的光强度对所述位置检测器的输出信号进行归一化;以及计算所述位置检测器归一化了的输出信号的和或差。

    液体材料的涂布方法及其树脂层形成法

    公开(公告)号:CN1429664A

    公开(公告)日:2003-07-16

    申请号:CN02160492.4

    申请日:2002-12-27

    CPC分类号: G11B7/266 B05C11/08

    摘要: 一种在平板上形成树脂层的方法,包括:(1)在平板(102)的第1主面(112)上涂布作为液体材料的光硬化性树脂组成物(110);(2)然后通过将光硬化性树脂组成物曝光而硬化、形成树脂层,光硬化性树脂组成物的涂布是通过将平板的侧面与导向构件(103、104)大致接触、并使导向构件的上面(114、120)位于相对平板的第1主面大致同一的水平面,在将平板配置于载物台上的状态下进行旋转涂布,而在平板的第1主面涂布光硬化性树脂组成物,形成向导向构件的上面和平板的第1主面延伸的涂膜,将该涂膜曝光。由此,通过旋转涂布可使形成的涂膜厚度均匀化,使最终形成的树脂层的厚度均匀化。

    光学元件以及光学元件的制造方法

    公开(公告)号:CN102763008A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201180010449.0

    申请日:2011-02-18

    IPC分类号: G02B1/11 B29D11/00

    CPC分类号: G02B1/118 B29D11/0074

    摘要: 本发明提供一种在可见光的所有带宽中降低反射率的光学元件。本发明的光学元件的特征为,在表面上以小于可见光的波长的间隔将凹部以及凸部中的任意一方进行多个配置,在凹部以及凸部当中被配置的一方中,形成凹部以及凸部当中未被配置的另一方。凸部可以形成在凹部中,凹部也可以形成在凸部上。优选光学元件本身的横截面积在水平面的横截平面中所占的比例,在从光学元件的上表面至下表面之间,根据深度,从光学元件的上表面起越是向下表面越连续地增加。

    光存储介质及其制造方法

    公开(公告)号:CN100454414C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200480008655.8

    申请日:2004-04-01

    IPC分类号: G11B7/24

    摘要: 本发明提供一种光存储介质,此光存储介质包括:在一个面上具有第1信息坑的第1衬底;在第1衬底的具有第1信息坑的面上,反映第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层;在第1反射层上形成的、在和第1反射层相对一侧的面上具有第2信息坑的第2衬底;在第2衬底的具有第2信息坑的面上,反映第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层;在第2反射层上形成的覆盖层。作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度(d1)和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率(n1)满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1),而且,d1≠λ/(4n1)的关系式。作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2),而且,d2≠λ/(4n2)的关系式。