公开(公告)号：CN1141202C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN96104611.2

申请日：1996-04-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾干夫

IPC: B24B7/22 ,  B24B29/00 ,  B24B1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 在可旋转的定盘的上表面上贴附有弹性的研磨垫盘。在定盘的上方配置有保持基板的基板保持装置。基板保持装置具有旋转轴，与旋转轴的下端形成为一体的圆盘状的基板保持头，固定于基板保持头的下表面外周缘部分上的由弹性体构成的环状密封构件，固定于基板保持头的下表面上的密封构件外侧的环状引导构件。已从一端导入的加压流体经由设于旋转轴上的流体流通通路的另一端供向空间部分，把基板推压到研磨垫盘上。

公开(公告)号：CN1618130A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827883.6

申请日：2002-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本伸一 ,  西尾干夫 ,  河北哲郎 ,  筒博司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/13624 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有薄膜晶体管的半导体装置，该晶体管又具有在绝缘基板(100)上形成的多晶半导体薄膜(2)。该半导体装置，在半导体薄膜(100)内具有沟道区域(80)、分别位于沟道区域(80)两侧的源极区域(91)和漏极区域(92)。沟道区域(90)含有第一导电型的杂质和与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质二者，它由第一导电型和所述第二导电型抵消的第一层(2a)和第一导电型或第二导电型中任何一种占支配地位的第二层(2b)层叠构成，经绝缘膜(3)与第一层(2a)相对地形成栅极电极(4)。源极区域(91)和漏极区域(92)由与在第二层(2b)中占支配地位的导电型相反的导电型构成。采用这种结构，可降低断开电流，同时容易控制阈值电压。

公开(公告)号：CN1494982A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN200310101489.3

申请日：1996-04-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾干夫

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供了一种基板研磨装置和基板研磨方法。基板研磨装置包括：可旋转的刚性定盘、通过使液态树脂硬化的办法在定盘的表面形成的研磨用树脂膜，以及在保持被研磨基板的同时把所保持的被研磨基板推压到上述研磨用树脂膜上的基板保持装置。使用本发明的基板研磨装置和方法可以极其均匀地研磨大直径的基板的表面，正确地判断研磨垫盘的更换时间。

公开(公告)号：CN1138745A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN96104611.2

申请日：1996-04-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾干夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  B24B7/22 ,  B24B29/00

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 在可旋转的定盘的上表面上贴附有弹性的研磨垫盘。在定盘的上方配置有保持基板的基板保持装置。基板保持装置具有旋转轴，与旋转轴的下端形成为一体的圆盘状的基板保持头，固定于基板保持头的下表面外周缘部分上的由弹性体构成的环状密封构件，固定于基板保持头的下表面上的密封构件外侧的环状引导构件。已从一端导入的加压流体经由设于旋转轴上的流体流通通路的另一端供向空间部分，把基板推压到研磨垫盘上。

公开(公告)号：CN1112292A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN95101849.3

申请日：1995-02-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西尾干夫 ,  赤松晋 ,  奥田宁

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: MOS晶体管由栅绝缘膜(3)、栅电极(11)、栅电极两侧的一对侧壁绝缘膜(13)、其下的低浓度源·漏区(4)和高浓度源·漏区(16)构成。在侧壁绝缘膜和元器件隔离之间形成了凹部(22)，在凹部(22)的硅衬底(1)上形成用于减小电容的绝缘膜(14)，其上形成引出电极(15)，高浓度源·漏区和引出电极在侧壁绝缘膜和用于减小电容的绝缘膜之间电连接。源·漏区下面的PN结部分的电容减小，同时能确保与布线的接触面积，提高集成度。