公开(公告)号：CN101855735A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115867.4

申请日：2008-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井手义行 ,  龟井英德 ,  米仓勇 ,  小原邦彦 ,  中原光一 ,  中津浩二 ,  远矢嘉郎 ,  北园俊郎 ,  前田俊秀 ,  小屋贤一 ,  白幡孝洋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L24/97 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 来自半导体发光元件的光朝着各个方向行进。为此，无法有效地利用朝照明方向以外的方向行进的光。虽然提出了将半导体发光元件的侧面加工成倾斜面并在该侧面上形成反射层的解决方法，但由于是利用蚀刻等方法来形成倾斜面，因而存在加工费时、难于控制倾斜面的问题。为了解决该问题，本发明公开了一种半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法。在次载具上设置半导体发光元件，用密封材密封后，进行在相邻的半导体发光元件之间形成槽的加工。通过向已形成的槽中填充反射材，研磨出光面并进行切割，便能够获得在侧面形成了反射层的半导体发光装置。