半导体发光装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101527344B

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN200910132586.6

    申请日:2005-11-11

    Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。

    半导体发光装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101527344A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200910132586.6

    申请日:2005-11-11

    Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。

    半导体发光装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101527343A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200910132585.1

    申请日:2005-11-11

    Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。

    半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN100418239C

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200510078575.6

    申请日:1997-12-26

    Abstract: 一种半导体发光装置的制造方法,在包含在透明基板上形成半导体积层膜并且在半导体积层膜的表面上形成p侧电极和n侧电极的半导体发光元件、至少有二个独立的电极的附装元件、支撑附装元件可以向附装元件供给电力的基材,让附装元件与基材电连通搭载在基材上,半导体发光元件处于倒置状态搭载在附装元件上的倒装型半导体发光装置的制造方法中,其特征是包含下列工序:在半导体元件和附装元件的任一方的元件具有的电极上形成微型凸柱的工序;通过的微型凸柱,将半导体元件的p侧电极和n侧电极连接到附装元件的电极上的芯片连接工序。

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