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公开(公告)号:CN101527344B
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200910132586.6
申请日:2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/483 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。
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公开(公告)号:CN101855735A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200880115867.4
申请日:2008-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/54 , H01L2224/04042 , H01L2224/05111 , H01L2224/05155 , H01L2224/05169 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05666 , H01L2224/13 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 来自半导体发光元件的光朝着各个方向行进。为此,无法有效地利用朝照明方向以外的方向行进的光。虽然提出了将半导体发光元件的侧面加工成倾斜面并在该侧面上形成反射层的解决方法,但由于是利用蚀刻等方法来形成倾斜面,因而存在加工费时、难于控制倾斜面的问题。为了解决该问题,本发明公开了一种半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法。在次载具上设置半导体发光元件,用密封材密封后,进行在相邻的半导体发光元件之间形成槽的加工。通过向已形成的槽中填充反射材,研磨出光面并进行切割,便能够获得在侧面形成了反射层的半导体发光装置。
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公开(公告)号:CN101262036B
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200810081676.2
申请日:2008-03-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明公开了一种发光装置,其包括:基体部,其通过一体地形成反射盒和设置在该反射盒后部处的终端保持部来构成;和引线构件,其插入基体部,引线构件的从基体部向外引出的部分沿着终端保持部弯曲,以形成分别连接到接线板上的图案的一对连接部,引线构件上设置有多个辐射板。多个辐射板从基体部的同一表面(下表面)延伸。由于提供了多个辐射板,所以在弯曲辐射板时,能够防止基体部被施加以过度的力,并能够防止基体部的损坏。
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公开(公告)号:CN101262036A
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200810081676.2
申请日:2008-03-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明公开了一种发光装置,其包括:基体部,其通过一体地形成反射盒和设置在该反射盒后部处的终端保持部来构成;和引线构件,其插入基体部,引线构件的从基体部向外引出的部分沿着终端保持部弯曲,以形成分别连接到接线板上的图案的一对连接部,引线构件上设置有多个辐射板。多个辐射板从基体部的同一表面(下表面)延伸。由于提供了多个辐射板,所以在弯曲辐射板时,能够防止基体部被施加以过度的力,并能够防止基体部的损坏。
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公开(公告)号:CN101065851A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200580040589.7
申请日:2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/483 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。
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公开(公告)号:CN101527344A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200910132586.6
申请日:2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/483 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。
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公开(公告)号:CN101527343A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200910132585.1
申请日:2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/483 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131);电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。
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公开(公告)号:CN1776926A
公开(公告)日:2006-05-24
申请号:CN200510078576.0
申请日:1997-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01014 , H01L2924/01079
Abstract: 本发明的发光装置,其特征是包含有:发光元件由其绝缘基板和在该绝缘基板上形成的半导体膜构成,并且在半导体膜的上面附近形成有p型半导体区域和n型半导体区域,发光元件根据在p型半导体区域-n型半导体区域间施加的电压而发光;静电保护元件,其具有与发光元件的p型半导体区域和n型半导体区域分别进行电连接的二个极部,当发光元件的p型半导体区域-n型半导体区域相互之间接受到超过了小于或者等于破坏电压的规定电压的电压时,静电保护元件让电流在二个极部之间流通。
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公开(公告)号:CN100541840C
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200580040589.7
申请日:2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/483 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构:具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110),上述衬底部件(130)具备:基板(131)电极部(正电极134、负电极135、凸块140~144),配置在上述基板(131)的上表面上,与上述半导体发光元件(110)直接接触;及反射部(132),配置在上述基板(131)的上表面上,不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置,不管反射率高的材料是否适合作为电极,可以用它将输出光高效地输出到外部。
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公开(公告)号:CN100418239C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200510078575.6
申请日:1997-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01014 , H01L2924/01079
Abstract: 一种半导体发光装置的制造方法,在包含在透明基板上形成半导体积层膜并且在半导体积层膜的表面上形成p侧电极和n侧电极的半导体发光元件、至少有二个独立的电极的附装元件、支撑附装元件可以向附装元件供给电力的基材,让附装元件与基材电连通搭载在基材上,半导体发光元件处于倒置状态搭载在附装元件上的倒装型半导体发光装置的制造方法中,其特征是包含下列工序:在半导体元件和附装元件的任一方的元件具有的电极上形成微型凸柱的工序;通过的微型凸柱,将半导体元件的p侧电极和n侧电极连接到附装元件的电极上的芯片连接工序。
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