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公开(公告)号:CN1829074A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200610054962.0
申请日:2006-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03B5/368
Abstract: 提供了一种MOS变容器,其中振荡频率变化较小,且电容改变电压的变化较小,并且提供了使用所述MOS变容器的压控振荡器,连接了可变静电电容器,作为包括反馈电阻器(1)、放大器(2)和晶体振动器(3)的振荡电路的负载电容器,所述可变静电电容器是在MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的漏极/源极端子和栅极端子之间产生的,所述MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的源极和漏极端子短路。MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电阻器(19)的一个端子,电压被施加到电阻器(19)的另一端子,MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电容器(20)的一个端子,并且电容器(20)的另一个端子接地。
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公开(公告)号:CN102334278A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN200980157526.8
申请日:2009-07-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/45475 , H03F3/005 , H03F2200/261 , H03F2203/45138
Abstract: 本发明提供一种放大装置、传感器模块。低通滤波器电路(11)具有:第一输入端子,其被提供传感器信号(SIN);第二输入端子;和输出端子,其用于输出输出信号(SOUTP)。低通滤波器电路(12)具有:输入端子,其与低通滤波器电路(11)的第二输入端子连接;和输出端子。低通滤波器电路(13)具有:输入端子,其与低通滤波器电路(12)的输出端子连接;和输出端子,其用于输出输出信号(SOUTN)。
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公开(公告)号:CN101536307A
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200780040735.5
申请日:2007-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03F1/52
CPC classification number: H03F1/52 , H03F1/56 , H03F3/45475 , H03F2203/45136 , H03F2203/45576
Abstract: 提供了一种放大设备,其中,输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ,并且提高了ESD电阻。ECM连接到输入端(21)。通过CMOS放大器(20)的高输入阻抗,使得频率特性直到语音频带都变得平坦,并且输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ,以便通过增大在对ECM供电之后和在大的声音检测之后的响应速度来实现期望的电特性。通过连接P沟道MOS晶体管(27)和N沟道MOS晶体管(28)作为ESD保护元件,可以构成用于将在组装期间在IC外部产生并且来自输入端(21)的浪涌电压释放到电源端子或接地端子而不影响来自输入端(21)的声音频带的信号(20Hz至20kHz)的路径。
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公开(公告)号:CN102265644A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN200980152398.8
申请日:2009-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01L9/12 , G01D5/24 , G01D5/2417 , G01H11/06 , G01P15/125 , G01P15/18 , H01L2224/48137 , H04R19/005
Abstract: 提供具有高质量的平衡信号输出的平衡信号输出型传感器。该平衡信号输出型传感器具备:电容部,其具备作为可动电极的第1电极(101)以及与第1电极(101)对置配置的第2电极(102);第1放大器(201),其连接到第1电极(101),放大来自第1电极(101)的信号;以及第2放大器(202),其连接到第2电极(102),放大来自第2电极(102)的信号。
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公开(公告)号:CN102089971A
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200980126904.6
申请日:2009-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03H11/24 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03H11/04
CPC classification number: H03H11/245 , H01L27/0802 , H01L27/088
Abstract: MOS晶体管电阻器具备:作为电阻器而使用的第一MOS晶体管(M1);与所述第一MOS晶体管的源极连接,施加输入电压(Vin)的输入电压源(1);和与所述第一MOS晶体管的栅极连接,施加栅极电压(Vg)的栅极电压源(6)。栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定到第一MOS晶体管的栅-源间电压及源-漏间电压使第一MOS晶体管在非饱和区域动作的范围,同时,栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定为满足第一MOS晶体管的电阻值的温度特性为一定的条件的关系。能够降低由制造上的参差不齐引起的漏电流的变化导致的电阻值的变动,并且能够得到良好的温度特性。
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公开(公告)号:CN101359039A
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200810131137.5
申请日:2008-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R33/07
Abstract: 磁场检测装置被提供有:磁场检测单元,响应于输入信号的电位电平而被通电,输出响应于外围磁场而具有彼此不同的电位电平的两个信号中的任一个;通电控制单元,其产生周期性的通电控制信号,该通电控制信号指示通过采用时钟信号及通过对时钟信号进行分频或频率倍增而获得的另一个信号来通电该磁场检测单元的定时,并将通电控制信号提供给磁场检测单元;第一反相单元,将该磁场检测单元的输出信号的电位电平反相;以及通电时间周期控制单元,向该通电控制单元提供时间周期控制信号,时间周期控制信号响应于磁场检测单元的输出信号的电位电平及通过由第一反相单元将该输出信号的电位电平反相而获得的信号的电位电平,来控制该通电控制信号的时间周期。
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