振荡器起动控制电路
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1761149B

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN200510108448.6

    申请日:2005-10-08

    IPC分类号: H03B5/32 H03L3/00

    CPC分类号: H03L3/00 H03B5/06 H03B5/36

    摘要: 本发明提供一种可以缩短起动时间,同时稳定地控制起动时间,进而在振荡电路起动后稳定振荡频率的振荡器起动控制电路。振荡电路(1)如下:将反相器(14)的输入和输出连接到晶体振子(15)的两端以及电阻(16)的两端,并将输入连接到MOS可变电容器(10)的漏极,将输出连接到MOS可变电容器(11)的漏极,将MOS可变电容器(10)的源极连接到固定电容器(12),将MOS可变电容器(11)的源极连接到固定电容器(13),将固定电容器(12、13)的另一端连接到GND。进而,在MOS可变电容器(10)的栅极连接电阻(18)和开关(7),在MOS可变电容器(11)的栅极连接电阻(19)和开关(8),将电阻(18、19)的另一端互相连接,进而连接到电压控制电路(3)。

    电压控制型振荡器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1722608A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200510083395.7

    申请日:2005-07-14

    IPC分类号: H03B5/32

    摘要: 本发明提供一种结构简单、适于小型化的电压控制型振荡器。在由放大器(1)、反馈电路(2)、晶体振子(3)构成的电压控制型振荡器中,连接两个MOS晶体管(M1、M2),作为实施此频率调整的可变电容元件,并在连接晶体振子(3)的XT端子以及XTB端子上,分别连接MOS晶体管(M1、M2)的漏极,并令MOS晶体管(M1、M2)的源极共用,通过电容(C3)连接在接地端子上,并令MOS晶体管(M1、M2)的栅极共用,将作为温度补偿信号的电压和作为电压控制信号的电压相加后施加给栅极端子,来实施频率控制。

    函数产生电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101083449A

    公开(公告)日:2007-12-05

    申请号:CN200710108737.5

    申请日:2007-05-31

    IPC分类号: H03B5/32 H03B5/04 H03K3/03

    CPC分类号: H03L1/022

    摘要: 一次函数产生电路从温度传感器电路接收信号,并且产生受环境温度影响的一次函数控制信号V1。四次和五次近似函数产生电路从温度传感器电路和三次近似函数产生电路接收信号,并且产生受环境温度影响的四次和五次近似函数控制信号V45。峰值改变点调节电路输出用于调节三次近似函数产生电路、一次函数产生电路、以及四次和五次近似函数产生电路的峰值改变点温度Ti的值的信号。温度补偿电路将控制信号V0、V1、V3和V5加到一起,并且输出所得到的信号Vc。

    函数发生电路及温度补偿型晶体振荡器

    公开(公告)号:CN1523750A

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN200410005275.0

    申请日:2004-02-17

    IPC分类号: H03B5/04

    CPC分类号: H03L1/022 H03L1/028

    摘要: 本发明涉及函数发生电路及温度补偿型晶体振荡器。级联第1、第2及第3电流变换电路(510、520、530),向第1电流变换电路(510)输入与环境温度(Ta)和基准温度(Tr)之差成正比的电流(It2)。第1电流变换电路(510)将与Ta-Tr的2次方成正比的电流供给第2电流变换电路(520),第2电流变换电路(520)将与Ta-Tr的4次方成正比的电流供给第3电流变换电路(530),第3电流变换电路(530)输出与Ta-Tr的5次方成正比的电流(It5)。第1、第2及第3电流变换电路(510、520、530)中的任何一个,都不需要具有能够驱动3个以上的二极管的串联电路的那么高的电源电压的结构。从而可以提供温度补偿型晶体振荡器用的以低电压动作的函数发生电路。

    函数发生电路
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1130773C

    公开(公告)日:2003-12-10

    申请号:CN96122810.5

    申请日:1996-09-26

    IPC分类号: H01L27/08

    CPC分类号: H03L1/022

    摘要: 发生与周围温度Ta和基准温度To之差的3次方成比例的电流以实现晶振频率的高精度温度补偿。为此,设置了第1二极管列、第2二极管列、第3二极管列、第4二极管列、使第1二极管列流入恒定电流的电流源、使第3二极管列流出恒定电流的电流源、使得第2二极管列在Ta≥To时流入与Ta-To成比例的电流而且使第4二极管列在Ta<To时流出与|Ta-To|成比例的电流的电流源、集电极分别连接到输出端子的NPN晶体管和PNP晶体管以及用于分别向这2个晶体管供给电压的2个运算放大器。

    振荡器起动控制电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1761149A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN200510108448.6

    申请日:2005-10-08

    IPC分类号: H03B5/32 H03L3/00

    CPC分类号: H03L3/00 H03B5/06 H03B5/36

    摘要: 本发明提供一种可以缩短起动时间,同时稳定地控制起动时间,进而在振荡电路起动后稳定振荡频率的振荡器起动控制电路。振荡电路(1)如下:将反相器(14)的输入和输出连接到晶体振子(15)的两端以及电阻(16)的两端,并将输入连接到MOS可变电容器(10)的漏极,将输出连接到MOS可变电容器(11)的漏极,将MOS可变电容器(10)的源极连接到固定电容器(12),将MOS可变电容器(11)的源极连接到固定电容器(13),将固定电容器(12、13)的另一端连接到GND。进而,在MOS可变电容器(10)的栅极连接电阻(18)和开关(7),在MOS可变电容器(11)的栅极连接电阻(19)和开关(8),将电阻(18、19)的另一端互相连接,进而连接到电压控制电路(3)。

    电压控制型振荡器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1725628A

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200510087439.3

    申请日:2005-07-22

    IPC分类号: H03B5/32

    摘要: 本发明提供一种能够与温度补偿控制信号及外部电压频率控制信号独立地控制MOS晶体管的阈值电压的电压型振荡器。其中具有:压电振子(3)、并联连接于压电振子(3)的负载电容。负载电容构成为:串联连接了具有将源极端子和漏极端子短路的源极·漏极端子、栅极端子的第1MOS晶体管(5)、具有将源极端子和漏极端子短路的源极·漏极端子、栅极端子的第2MOS晶体管(6)。而且还具有:将共同的第1控制信号(S1)供给到上述第1、第2MOS晶体管(5、6)的源极·漏极端子的第1控制信号产生电路(41);和将共同的第2控制信号(S2)供给到上述第1、第2MOS晶体管(5、6)的栅极端子的第2控制信号产生电路(42)。

    函数产生电路
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101083449B

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN200710108737.5

    申请日:2007-05-31

    IPC分类号: H03B5/32 H03B5/04 H03K3/03

    CPC分类号: H03L1/022

    摘要: 一次函数产生电路从温度传感器电路接收信号,并且产生受环境温度影响的一次函数控制信号V1。四次和五次近似函数产生电路从温度传感器电路和三次近似函数产生电路接收信号,并且产生受环境温度影响的四次和五次近似函数控制信号V45。峰值改变点调节电路输出用于调节三次近似函数产生电路、一次函数产生电路、以及四次和五次近似函数产生电路的峰值改变点温度Ti的值的信号。温度补偿电路将控制信号V0、V1、V3和V5加到一起,并且输出所得到的信号Vc。

    金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器

    公开(公告)号:CN1829074A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200610054962.0

    申请日:2006-02-27

    IPC分类号: H03B5/12 H03B5/32 H03B5/04

    CPC分类号: H03B5/368

    摘要: 提供了一种MOS变容器,其中振荡频率变化较小,且电容改变电压的变化较小,并且提供了使用所述MOS变容器的压控振荡器,连接了可变静电电容器,作为包括反馈电阻器(1)、放大器(2)和晶体振动器(3)的振荡电路的负载电容器,所述可变静电电容器是在MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的漏极/源极端子和栅极端子之间产生的,所述MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的源极和漏极端子短路。MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电阻器(19)的一个端子,电压被施加到电阻器(19)的另一端子,MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电容器(20)的一个端子,并且电容器(20)的另一个端子接地。