公开(公告)号：CN1521943A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200310120128.3

申请日：2003-12-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屉正之 ,  嶋冈裕泰

IPC: H03F3/343 ,  H03F3/345 ,  H03F3/45

CPC classification number: G05F3/262

Abstract: 提供一种能使输出端子的流出电流与流入电流相等的电流源电路。其具备：将来自基准电流源(2)的基准电流变换为电压的第1晶体管组(M1、M2)；与第1晶体管组构成电流镜关系，且流过输出电流的第1晶体管(M7)；将提供给一个输入端子的由第1晶体管组发生的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压的误差放大器(3)；由误差放大器的输出电压驱动的第2晶体管(M5)；由误差放大器的输出电压驱动，流过与第1晶体管的输出电流相对输出端子成相反方向的输出电流的第3晶体管(M6)；和将流过第2晶体管的电流变换为电压，并提供给误差放大器的另一输入端子的第2晶体管组(M3、M4)。

公开(公告)号：CN102089971A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980126904.6

申请日：2009-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屉正之 ,  政井茂雄 ,  小林仁 ,  山崎秀哉

IPC: H03H11/24 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03H11/04

CPC classification number: H03H11/245 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/088

Abstract: MOS晶体管电阻器具备：作为电阻器而使用的第一MOS晶体管(M1)；与所述第一MOS晶体管的源极连接，施加输入电压(Vin)的输入电压源(1)；和与所述第一MOS晶体管的栅极连接，施加栅极电压(Vg)的栅极电压源(6)。栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定到第一MOS晶体管的栅-源间电压及源-漏间电压使第一MOS晶体管在非饱和区域动作的范围，同时，栅极电压(Vg)及输入电压(Vin)被设定为满足第一MOS晶体管的电阻值的温度特性为一定的条件的关系。能够降低由制造上的参差不齐引起的漏电流的变化导致的电阻值的变动，并且能够得到良好的温度特性。