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公开(公告)号：CN1312862C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02824445.1
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种光传输装置，其目的在于，防止由于软件等原因，输入端子的电压固定在高电压状态的情况下，发光二极管持续发光，以及在PDA、手机等设备中，发生电池断电，发光二极管遭到损坏等各种问题的发生。因此，在驱动光传输用的发光二极管(8)的发光元件驱动电路(23)的前级，设置有使由脉冲波形构成的光传输用输入信号的高频成分通过的高通滤波器(21)和将高通滤波器(21)的输出信号二值化并返回脉冲波形的二值化电路(22)。
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公开(公告)号：CN1228860C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02141086.0
申请日：2002-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623
Abstract: 一种半导体装置，具备第一导电型半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层；形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层；形成于所述第一半导体层内，调整为第一导电型的第一杂质层；和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层，所述第一绝缘体层形成在比所述第二绝缘体层深的位置。
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公开(公告)号：CN1599993A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824445.1
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04B10/504
Abstract: 一种光传输装置，其目的在于，防止由于软件等原因，输入端子的电压固定在高电压状态的情况下，发光二极管持续发光，以及在PDA、手机等设备中，发生电池断电，发光二极管遭到损坏等各种问题的发生。因此，在驱动光传输用的发光二极管(8)的发光元件驱动电路(23)的前级，设置有使由脉冲波形构成的光传输用输入信号的高频成分通过的高通滤波器(21)和将高通滤波器(21)的输出信号二值化并返回脉冲波形的二值化电路(22)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1155110C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98100637.X
申请日：1998-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种和以前相比，光检测灵敏度更高，光遥控接收装置的接收距离更长的光接收装置。在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上，形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面，以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且，形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域，以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。
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公开(公告)号：CN1155108C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN98120868.1
申请日：1998-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/0203 , H01L31/202 , H01L2224/73265 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 为了提供能够抑制自发噪声的产生并有效地减少外部噪声的光检测器，在n型半导体衬底正面设置p型扩散层，在p型扩散层正面设置p型低电阻层，在n型半导体衬底的反面设置引线框架、中间夹有绝缘树脂薄膜，p型低电阻层电连接到引线框架。光检测器的正面保持地电位，故能防止来自外界的电磁噪声的侵入，亦即外部噪声的影响，所以接收距离得以增大。另外，由于p型扩散层和p型低电阻层之间的接合处不是pn结，故自发噪声的产生得到充分抑制。
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公开(公告)号：CN1388593A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02141086.0
申请日：2002-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623
Abstract: 一种半导体装置,具备第一导电型半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层;形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层;形成于所述第一半导体层内,调整为第一导电型的第一杂质层;和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层。
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公开(公告)号：CN1091302C
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN96100548.3
申请日：1996-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/1443
Abstract: 提供可使用各种放大器且电路规模小的光检测装置及其制造方法。第1受光部分PD1由P型半导体基板上形成的N型第1杂质区和N型第1杂质区表面上形成的P型第2杂质区构成，第2受光部分PD2由P型半导体基板和其上形成的N型第3杂质区构成。第1和第2受光部分串联连接，所以使用双极型晶体管作为放大装置能够减小光检测装置的电路规模。另外，第1、第2受光部分上分别加反向偏置电压，提高了光灵敏度。此外，可通过第1、第2受光部分的面积比设定检测光的波段。
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公开(公告)号：CN1192054A
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：CN98100637.X
申请日：1998-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/08
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种和以前相比,光检测灵敏度更高,光遥控接收装置的接收距离更长的光接收装置。在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上,形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面,以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且,形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域,以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。
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