光拾波装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101197156A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200710198827.8

    申请日:2007-12-07

    CPC classification number: G11B7/1353 G11B7/1275 G11B7/1381 G11B2007/0006

    Abstract: 本发明涉及的光拾波装置包括:光源,发出第一波长的第一光、第二波长的第二光、第三波长的第三光;光路结合机构,使上述光源发出的上述第一光、第二光及第三光的行进方向相同,使上述第一光和上述第三光的光轴一致;聚光机构,将来自上述光路结合机构的光聚光在上述光信息记录介质上;衍射元件,衍射来自上述光信息记录介质的反射光;第一、第二及第三光检测器,接收来自上述衍射元件的衍射光;防止机构,形成在上述衍射元件与上述第一、第二及第三光检测器之间,防止由上述衍射元件衍射的上述第一光的±1级衍射光向上述第一、第二及第三光检测器的方向照射。

    光传输装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1599993A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN02824445.1

    申请日:2002-11-28

    CPC classification number: H04B10/504

    Abstract: 一种光传输装置,其目的在于,防止由于软件等原因,输入端子的电压固定在高电压状态的情况下,发光二极管持续发光,以及在PDA、手机等设备中,发生电池断电,发光二极管遭到损坏等各种问题的发生。因此,在驱动光传输用的发光二极管(8)的发光元件驱动电路(23)的前级,设置有使由脉冲波形构成的光传输用输入信号的高频成分通过的高通滤波器(21)和将高通滤波器(21)的输出信号二值化并返回脉冲波形的二值化电路(22)。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1388593A

    公开(公告)日:2003-01-01

    申请号:CN02141086.0

    申请日:2002-05-30

    CPC classification number: H01L21/8249 H01L27/0623

    Abstract: 一种半导体装置,具备第一导电型半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层;形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层;形成于所述第一半导体层内,调整为第一导电型的第一杂质层;和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层。

    光传输装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1312862C

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN02824445.1

    申请日:2002-11-28

    Abstract: 一种光传输装置,其目的在于,防止由于软件等原因,输入端子的电压固定在高电压状态的情况下,发光二极管持续发光,以及在PDA、手机等设备中,发生电池断电,发光二极管遭到损坏等各种问题的发生。因此,在驱动光传输用的发光二极管(8)的发光元件驱动电路(23)的前级,设置有使由脉冲波形构成的光传输用输入信号的高频成分通过的高通滤波器(21)和将高通滤波器(21)的输出信号二值化并返回脉冲波形的二值化电路(22)。

    半导体装置及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1228860C

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN02141086.0

    申请日:2002-05-30

    CPC classification number: H01L21/8249 H01L27/0623

    Abstract: 一种半导体装置,具备第一导电型半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层;形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层;形成于所述第一半导体层内,调整为第一导电型的第一杂质层;和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层,所述第一绝缘体层形成在比所述第二绝缘体层深的位置。

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