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公开(公告)号：CN1282378C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN00117922.5
申请日：2000-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007 , H03G3/3042 , H04W52/10 , H04W52/52
Abstract: 为了通过使用单个控制电压达到在70dB或更大的宽范围内的线性增益控制(±1dB平坦度)，在蜂窝移动电话终端的发射机的射频部分提供了以下结构的衰减器。也就是，对于射频信号的信号输入部分(34)和信号输出部分(35)由包含至少两个串联可变电阻(51和52)的信号线(55)连接；并联可变电阻(53和54)分别被连接在地线(57)和信号输入部分(34)与信号输出部分(35)之间；增益控制线被连接到可变电阻(51，52，53，和54)；参考电压加入部分(23，27，31，和33)分别被连接到(51，52，53，和54)；以及增益控制电压加入部分(19)通过增益控制线(56)被连接到每个可变电阻(51，52，53，和54)。
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公开(公告)号：CN1275874A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN00117922.5
申请日：2000-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007 , H03G3/3042 , H04W52/10 , H04W52/52
Abstract: 为了通过使用单个控制电压达到在70dB或更大的宽范围内的线性增益控制(±1dB平坦度),在蜂窝移动电话终端的发射机的射频部分提供了以下结构的衰减器。也说是,对于射频信号的信号输入部分(34)和信号输出部分(35)由包含至少两个串联可变电阻(51和52)的信号线(55)连接;并联可变电阻(53和54)分别被连接在地线(57)和信号输入部分(34)与信号输出部分(35)之间;增益控制线被连接到可变电阻(51,52,53和54);参考电压加入部分(23,27,31,和33)分别被连接到(51,52,53,和54);以及增益控制电压加入部分(19)通过增益控制线(56)被连接到每个可变电阻(51,52,53和54)。
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公开(公告)号：CN1241322C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02106117.3
申请日：2002-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03D7/12
CPC classification number: H03D7/125
Abstract: 本发明提供了一种能够减少电流消耗而不损害射频特性的频率变换电路。本地振荡放大器由第一场效应晶体管构成。其源极在高频时由第一电容器接地，其栅极与第一、第二电阻的每个的一端相连。第一电阻的另一端接地，第二电阻的另一端和电源端子相连。中频放大器由第二场效应晶体管构成。其源极通过相互并联的第三电阻和第二电容器接地。其漏极通过第三电容器和中频输出匹配电路与中频信号输出端相连。第一场效应晶体管的源极和第二场效应晶体管的漏极通过交流阻断电路相连。
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公开(公告)号：CN1716777A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510091310.X
申请日：2005-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/693 , H04B1/40
CPC classification number: H03K17/693
Abstract: 利用由肖特基接合方式制成的多个二极管，在形成开关用的和用于确保绝缘性的MESFET的化合物半导体基板上一体地形成能够选择多个控制电压输入端子的电压较高一方的二极管逻辑电路。接着，利用多个控制电压输入端子来控制开关用的MESFET，通过从二极管逻辑电路输出的OR电压来控制用于确保绝缘性的MFSFET。
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公开(公告)号：CN1574631A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049054.3
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/693 , H03K17/06
CPC classification number: H03K17/102 , H03K17/6871 , H03K17/693 , H03K2217/0036
Abstract: 将多个电阻元件的第1端子与多个FET的串联电路的中间连接点连接，对多个电阻元件的第2端子施加与施加在多个FET的栅端子上的电压反相的电压。由此，可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降。其结果是，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降，所以抑制了起因于多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100359681C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN98117109.5
申请日：1998-07-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/54473 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0237 , H05K3/341 , H05K3/3421 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 一种半导体装置及其引线框架具有用银糊等固定半导体芯片的方形芯片底座和内侧各端部与芯片底座短边侧端部连接而形成整体的第一引线及内侧各端部以夹持芯片底座的方式分别向外伸出的第二引线。第二引线内侧端部具有沿芯片底座长边一侧端部宽幅形成的宽幅部，同时第二引线在与宽幅部相连接的部分设贯穿孔。半导体芯片通过引线分别与第二引线和芯片底座电连接。该装置可从直流到高频范围使高频半导体装置稳定地工作并使其安装面积缩小。
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公开(公告)号：CN1307799C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200410049035.0
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/693 , H03K17/06
CPC classification number: H03K17/04123 , H03K17/693
Abstract: 在输入输出高频信号的多个输入输出端子之间设置由4组FET的串联电路构成的4个开关电路部。各开关电路部通过独立地分别对4个FET的栅端子施加栅控制电压，实现导通状态和关断状态。进而，在各开关电路部中，对FET的漏端子或源端子独立地施加漏控制电压，供给与输入到各开关电路部的高频信号的功率值对应的电压，作为栅控制电压和漏控制电压。
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公开(公告)号：CN1581484A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055996.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。
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公开(公告)号：CN1309166C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410049054.3
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/693 , H03K17/06
CPC classification number: H03K17/102 , H03K17/6871 , H03K17/693 , H03K2217/0036
Abstract: 将多个电阻元件的第1端子与多个FET的串联电路的中间连接点连接，对多个电阻元件的第2端子施加与施加在多个FET的栅端子上的电压反相的电压。由此，可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降。其结果是，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降，所以抑制了起因于多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
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公开(公告)号：CN1538621A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410036884.2
申请日：2004-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/284
CPC classification number: H03K17/687 , H03J2200/29
Abstract: 使5个电阻的一端分别与串联连接的4个耗尽型FET的两端和中点连接，对5个电阻的另一端施加规定的电压。由此，固定4个FET的源漏电位。通过固定各FET的源漏电位，对各FET的栅源之间稳定地施加用于使各FET导通的偏置电压，可靠地进行FET的通断切换。
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