公开(公告)号：CN1614835A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410092538.6

申请日：2004-11-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 富士原洁 ,  上野明 ,  松田佳昭 ,  中西秀行

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  G11B7/125

CPC classification number: G11B7/127 ,  G11B7/123 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49171 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器组件，具有容易组装的简单的结构，散热容易，且可同时实现高功能化和小型化。其具有：宽度与硅衬底(120)的宽度和挠性薄板(130)的宽度中的较大一方略一致的金属板(100)、半导体激光器(110)、集成有光检测电路及信号处理电路的硅衬底(120)、挠性薄板(130)、金属线(140)、以及光学元件(150)，挠性薄板(130)在金属板(100)上被分为2部分，该被分为2部分的挠性薄板(130)夹着硅衬底(120)相对置。

公开(公告)号：CN1101987C

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN97115312.4

申请日：1997-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河内泰之 ,  上野明 ,  中西秀行 ,  吉村明夫

IPC: H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02236 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0683

Abstract: 对由GaAs等的化合物半导体构成的半导体激光器件；设于该半导体激光器件的下边，由硅构成，上表面上形成了将成为半导体激光器件的电极的电极层，进行半导体激光器件的定位的激光器座；设于该激光器座的下边，通过激光器座散发半导体激光器件所产生的热的散热片用热压焊使之相互固定好。在激光器座的与已固定上半导体激光器件的主面相反一侧的面上设置凹部，在该凹部中整体地形成了由热导率比硅大的铜构成的散热体。