公开(公告)号：CN1101987C

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN97115312.4

申请日：1997-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河内泰之 ,  上野明 ,  中西秀行 ,  吉村明夫

IPC: H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02236 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0683

Abstract: 对由GaAs等的化合物半导体构成的半导体激光器件；设于该半导体激光器件的下边，由硅构成，上表面上形成了将成为半导体激光器件的电极的电极层，进行半导体激光器件的定位的激光器座；设于该激光器座的下边，通过激光器座散发半导体激光器件所产生的热的散热片用热压焊使之相互固定好。在激光器座的与已固定上半导体激光器件的主面相反一侧的面上设置凹部，在该凹部中整体地形成了由热导率比硅大的铜构成的散热体。