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公开(公告)号：CN119203870A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411039797.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/3315 , G06F30/337 , G06Q50/18
Abstract: 本发明公开了一种基于IP核的芯片及其实现方法，该芯片内部集成至少一个IP核以及与所述IP核的接口相连接的可变延时线，所述可变延时线用于修复IP核接口的时序偏差。与现有技术相比较，本发明通过在IP接口增加可变延时线，能够有效调整IP接口的延时来抵消IP库文件时序不准确的问题，从而修复时序违例，提高基于IP核设计芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN119153461A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411061063.8
申请日：2024-08-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L23/48 , H01L23/535
Abstract: 本发明公开了一种检查芯片内部电源网络供电能力的方法，包括如下步骤：步骤S1：在芯片设计中提取所有IP核并获取各个IP核的面积；步骤S2：获得芯片设计中各个IP核中电源和接地引脚(PG PIN)所在的金属层与其上层金属的通孔(VIA)数量；步骤S3：计算出各个IP核在相应金属层上的VIA密度；步骤S4：将计算得到的各金属层的VIA密度与各金属层预设的VIA密度作对比，当有某一金属层的VIA密度小于预设的VIA密度，则认定不满足VIA密度要求，说明IP核的供电存在风险。采用本发明技术方案，有助于提高芯片设计效率，减少无效工作和设计迭代次数，从而缩短芯片设计周期。
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公开(公告)号：CN117198367A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310957394.9
申请日：2023-08-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种利用黄金分割搜索法优化3DNAND闪存开放块特性的方法，包括设定搜索区间[a,b]，针对开放块特性的电压状态分布负向偏移问题，偏移量最大值a为‑128，默认参考电压处于b为0的位置；设定收敛精度d，用于约束搜索结束条件，若设置d为1表示当区间长度收缩至1时则结束搜索；初始化收缩系数r为0.618，该值为黄金分割点，再将最小值点X初始为默认参考电压位置；计算偏移量，并向下取整；区间收缩循环；判断收缩后的区间[a,b]是否小于或等于收敛精度d；否，则返回上步；是，则输出a和b两点中错误数较小的点。本发明分析边缘WL的高原始误码率和原理，并基于黄金分割法提出一种优化读电压方案，降低边缘WL原始误码率，提高开放块的数据可靠性。
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公开(公告)号：CN119272704A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411205478.8
申请日：2024-08-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/394 , H10D89/10
Abstract: 本发明公开了一种集成电路及其金属层ECO方法，集成电路中设置冗余逻辑单元以用于金属层ECO，包括如下步骤：步骤S1：在芯片布局阶段，在布局区域按一定间距设置冗余逻辑单元阵列；步骤S2：将每个冗余逻辑单元阵列的各个冗余逻辑单元依次在逻辑上两两相互连接；步骤S3：在布线阶段，将所述冗余逻辑单元的输入端和输出端相连的走线浮到ME2层和ME3层；步骤S4：在金属层ECO阶段，若需要用到某一个冗余逻辑单元，仅需修改该冗余逻辑单元输入端和输出端相连的ME2层和/或ME3层的金属走线。采用本发明技术方案，大大降低了Metal ECO阶段所需的周期和成本，有助于提高芯片设计工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116702651A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310739499.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/23 , G06F17/12 , G06F17/14 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种CFD模拟多孔介质中微渗漏甲烷运移的预测方法。步骤为：对SpaceClaim软件建立的几何模型网格划分后导入CFD软件；构建控制方程、层流模型、组分输送模型、扩散系数模型、多孔介质模型；设定流体属性与模型运行条件、初始条件、离散方式和求解算法，构建得到多孔介质中微渗漏甲烷运移的预测模型。本发明使用UDF将Fick扩散、Knudsen扩散、过渡流扩散耦合进多孔介质中微渗漏甲烷运移的过程模拟，同时使用UDF程序设置初始浓度场，与实际地层中多孔介质中微渗漏甲烷运移更加贴切。本发明无需研究者编写模型求解程序，减少在模型求解程序编写中花费的精力，使研究者更多地关注于微渗漏甲烷运移研究本身。
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公开(公告)号：CN119358505A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411400295.1
申请日：2024-10-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/396
Abstract: 本发明公开了基于RISC‑V架构利用有用偏差的新型时钟树自适应优化方法，在S1，布图；S2，布局；S3，时钟树综合后，进行S10，寄存器到寄存器之间的时序路径优化；在S4，布线后，进行S20，寄存器到存储器之间的时序路径优化。本发明通过自适应迭代，不需要繁琐的算法，解决了EDA工具本身auto useful skew的不足，而且最大限度地修复了时序问题，同时采用合并延迟单元的方法，实现了芯片设计的高性能和低功耗的双赢效果。
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公开(公告)号：CN119292690A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411238726.9
申请日：2024-09-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于嵌入式设备的动态加载方法及系统，包括以下步骤：步骤S1：主机将固件和动态库文件烧录到嵌入式设备的存储介质；步骤S2：在嵌入式设备内存中运行固件；步骤S1中，动态库生成模块将动态库源码按功能分别生成对应动态库文件，固件源码集成动态加载模块并编译生成固件文件；其中，固件文件中保存对应动态库文件的信息，所述信息至少包括动态库名、动态库文件在存储介质中的起始地址以及动态库文件在存储介质中所占用的内存大小；步骤S2中，在固件运行到加载某个库函数时，根据固件文件中保存的对应动态库文件的信息在存储介质中找到对应动态库文件，并把该动态库文件映射到内存中并构建该动态库的全局动态符号表以调用库函数。
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公开(公告)号：CN118364480A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410272773.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有移动充电功能的加密存储设备。该设备包括桥控制器、存储控制器、充放电控制电路、锂电池电芯堆、EMMC闪存、显示屏、矩阵键盘，USB数据传输口，Type‑C充放电口，USB放电口。所述具有移动充电功能的加密存储设备具有公开分区和安全分区两个存储区。在没有按下正确的密码时，主机只能访问公开分区，避免了安全分区内的数据泄露。当按下安全分区的正确密码后，主机就可以访问安全分区。由于锂电池电芯堆具备给桥控制器供电的能力，允许用户先按下正确的密码后再插入主机。本发明能给接入Type‑C充放电口及USB放电口的设备供电，起到移动电源的作用。同时显示屏能够显示存储容量及电源电量。
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公开(公告)号：CN117236237A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310956524.7
申请日：2023-08-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/327
Abstract: 本发明公开了一种对芯片进行版本号记录及修改的方法，当某一金属层改变，需要对芯片的版本号进行修改时，将此金属层对应的逻辑门的两个输入与电源或地的连接关系进行改变，得到一个新的输出，即更新版本号；逻辑门的输入向上连接到对应的金属层时，在中间经过的金属层上由金属线构成，两层金属层之间的通孔层改变时，在不影响这两层金属层的情况下，通过只改变通孔的位置来改变逻辑门两输入与电源和地的连接关系。本发明利用芯片本身spare cell的情况下来完成，不会造成芯片资源的浪费，且在金属层上和通孔层上需要进行修改时绕线方式及通孔更改位置方式简单，不会使本层上的绕线资源变得紧张。
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