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公开(公告)号：CN114284305A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111485332.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供一种光电探测器及其制备方法、射线探测装置。涉及光电转换技术领域。主要用于提升光电探测器的光电转换量子效率，以及使用可靠性。该光电探测器包括：半导体衬底、抗反射膜层、介质层、第一电极和第二电极、钝化层；半导体衬底具有相对的第一面和第二面，第一面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；抗反射膜层形成在第一面上，抗反射膜层的与第一掺杂区相对的至少部分区域形成光敏区；介质层形成在抗反射膜层的远离半导体衬底的一侧；第一电极和第二电极均形成在介质层的远离抗反射膜层的一侧；第一导电通道和第二导电通道均贯穿介质层；介质层的表面上形成有钝化层，钝化层形成有镂空区，且镂空区贯通至光敏区，以使得光敏区露出。
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公开(公告)号：CN114284307A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111545388.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光敏元件、制作方法、感光芯片、光敏探测器和检测装置，涉及光敏元件的技术领域，解决了现有技术中光敏元件在半导体衬底上的占用面积较大，降低晶圆的面积利用率这一技术问题。光敏元件包括半导体衬底、电路结构层和导电部。半导体衬底包括背光面。半导体衬底内形成有光敏部，光敏部用于将光信号转换为电信号。电路结构层设置于背光面的一侧，且与半导体衬底相邻。导电部贯穿电路结构层，且与光敏部电连接。导电部在半导体衬底上的垂直投影，位于光敏部在半导体衬底上垂直投影的范围内。本发明公开的光敏元件用于将光信号转换为电信号。
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公开(公告)号：CN216622579U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202123089637.7
申请日：2021-12-09
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种光电测试模组及光电测试系统。所述光电测试模组用于对具有背照式光电元件的待测晶圆进行测试，其包括基板、多个导电探针及多个电连接键；所述基板具有相对的正面和背面，所述基板的正面包括位于中部的探针区及位于所述探针区外围的电连接区；所述多个导电探针按照预设阵列排布于所述基板的所述探针区形成导电探针阵列，所述多个电连接键分散设于所述电连接区，且每一所述电连接键与一个导电探针电性连接。上述光电测试模组，通过在基板的探针区设置导电探针阵列，并在探针区外围的电连接区设置与导电探针电性连接的电连接键，该光电测试模组的结构简单，且方便对具有背照式光电元件的待测晶圆进行测试。
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公开(公告)号：CN216528891U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202123170679.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型公开了一种光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置，涉及光电二极管的技术领域，解决了现有技术中光电二极管器件的响应速度较慢，并且光电二极管器件的占用面积较大，降低晶圆面积利用率的技术问题。半导体衬底包括背光面。半导体衬底内形成有间隔设置的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与半导体衬底的掺杂类型不同，第二掺杂部与半导体衬底的掺杂类型相同。金属布线层设置于背光面的一侧，且与半导体衬底相邻。第一导电部贯穿金属布线层，且与第一掺杂部电连接。第一导电部在半导体衬底上的垂直投影，位于第一掺杂部在半导体衬底上垂直投影的范围内。本实用新型公开的光电二极管器件用于将光信号转换为电信号。
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