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公开(公告)号:CN114284307A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202111545388.X
申请日:2021-12-16
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光敏元件、制作方法、感光芯片、光敏探测器和检测装置,涉及光敏元件的技术领域,解决了现有技术中光敏元件在半导体衬底上的占用面积较大,降低晶圆的面积利用率这一技术问题。光敏元件包括半导体衬底、电路结构层和导电部。半导体衬底包括背光面。半导体衬底内形成有光敏部,光敏部用于将光信号转换为电信号。电路结构层设置于背光面的一侧,且与半导体衬底相邻。导电部贯穿电路结构层,且与光敏部电连接。导电部在半导体衬底上的垂直投影,位于光敏部在半导体衬底上垂直投影的范围内。本发明公开的光敏元件用于将光信号转换为电信号。
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公开(公告)号:CN216528891U
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202123170679.3
申请日:2021-12-16
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型公开了一种光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置,涉及光电二极管的技术领域,解决了现有技术中光电二极管器件的响应速度较慢,并且光电二极管器件的占用面积较大,降低晶圆面积利用率的技术问题。半导体衬底包括背光面。半导体衬底内形成有间隔设置的第一掺杂部和第二掺杂部,第一掺杂部与半导体衬底的掺杂类型不同,第二掺杂部与半导体衬底的掺杂类型相同。金属布线层设置于背光面的一侧,且与半导体衬底相邻。第一导电部贯穿金属布线层,且与第一掺杂部电连接。第一导电部在半导体衬底上的垂直投影,位于第一掺杂部在半导体衬底上垂直投影的范围内。本实用新型公开的光电二极管器件用于将光信号转换为电信号。
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