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公开(公告)号：CN112863551A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011307999.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种对于自外部的较强振动、冲击的耐受性较高的记录再现装置，包括：圆盘状的记录介质；电动机，其用于旋转驱动上述记录介质；磁头，其用于进行对于上述记录介质的信息的读取、或者写入；斜坡机构，其用于使上述磁头自上述记录介质之上退避；斜坡退避机构，其用于使上述斜坡机构自上述记录介质之上退避。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115223596A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210407867.3
申请日：2022-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 提供能够降低污染物对于磁头的转印的磁记录再生装置。本发明涉及的磁记录再生装置具备：圆盘状的磁记录介质；将上述磁记录介质进行旋转驱动的电动机；磁头，所述磁头具有对于上述磁记录介质进行信息的读出的磁头元件以及进行上述信息的写入的磁头元件；以及偏置电路，所述偏置电路对于进行上述信息的读出的磁头元件供给规定的偏置电压，上述磁记录介质在基板上依次具有磁性层和碳保护层，上述偏置电路对于上述磁头元件供给相对于上述磁记录介质的电位为‑0.2V～‑1.0V的电压。
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公开(公告)号：CN113053420A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011462334.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种对于来自外部的较强振动、冲击的耐受性较高的记录再现装置，包括：圆盘状的记录介质；电动机，其用于旋转驱动上述记录介质；磁头，其用于进行对于上述记录介质的信息的读取、或写入，上述记录再现装置具有支承部件，该支承部件用于支承因来自外部的冲击而弯曲的记录介质，上述支承部件仅在施加有来自外部的冲击时与上述记录介质相接来支承上述弯曲的记录介质。
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公开(公告)号：CN103137144A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210490621.3
申请日：2012-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B23/0028 , G01B7/28 , G01B11/30 , G06F15/00 , G11B5/7315 , G11B5/8404 , G11B23/0021 , Y10T428/2424 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供表面平滑性优异的磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法。是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板，其主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期(L)为10~1000μm的范围的均方根粗糙度(Rq)计为以下，并且对于表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期(L)为横轴[μm]、以其功率谱密度(PSD)为纵轴(k为常数)的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期(L)为10μm的点A和空间周期(L)为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值(P)为15%以下。
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公开(公告)号：CN112863551B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011307999.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种对于自外部的较强振动、冲击的耐受性较高的记录再现装置，包括：圆盘状的记录介质；电动机，其用于旋转驱动上述记录介质；磁头，其用于进行对于上述记录介质的信息的读取、或者写入；斜坡机构，其用于使上述磁头自上述记录介质之上退避；斜坡退避机构，其用于使上述斜坡机构自上述记录介质之上退避。
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公开(公告)号：CN103137144B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210490621.3
申请日：2012-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B23/0028 , G01B7/28 , G01B11/30 , G06F15/00 , G11B5/7315 , G11B5/8404 , G11B23/0021 , Y10T428/2424 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供表面平滑性优异的磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法。是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板，其主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期(L)为10~1000μm的范围的均方根粗糙度(Rq)计为以下，并且对于表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期(L)为横轴[μm]、以其功率谱密度(PSD)为纵轴(k为常数)的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期(L)为10μm的点A和空间周期(L)为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值(P)为15%以下。
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