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公开(公告)号：CN1122078C
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN96122542.4
申请日：1996-09-20
Applicant: 旭硝子株式会社 , 日立化成工业株式会社
IPC: C08L27/12 , H01B3/44 , C09D127/12
CPC classification number: H01B3/445 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 一种低介电的树脂组合物，它包含下述组分(a)和(b)，由该组合物制成的涂层膜的介电常数至多为3：(a)在其分子中含官能团且溶于溶剂的树脂；和(b)结构式为Rm1Rn2Si(OR3)4-m-n的烷氧基硅烷的部分水解缩合物，其中可相同或不同的各R1和R2为非水解基团，R3为烷基，m和n为满足0≤m+n≤3的0-3的整数。
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公开(公告)号：CN1165161A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN96122542.4
申请日：1996-09-20
Applicant: 旭硝子株式会社 , 日立化成工业株式会社
IPC: C08L27/12 , C09D127/12 , H01B3/00
CPC classification number: H01B3/445 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 一种低介电的树脂组合物，它包含下述组分(a)和(b)，由该组合物制成的涂层膜的介电常数至多为3：(a)在其分子中含官能团且溶于溶剂的树脂；和(b)结构式为R1mR2nSi(OR3)4-m-n的烷氧基硅烷的部分水解缩合物，其中可相同或不同的各R1和R2为非水解基团，R3为烷基，m和n为满足0≤m+n≤3的0-3的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924970A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044344.X
申请日：2016-08-02
IPC: H01L33/44 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L33/56
Abstract: 防止伴随紫外线发光动作的起因于填充在电极间的树脂的电特性劣化。一种在基板(12)上具有紫外线发光元件的氮化物半导体晶圆，该紫外线发光元件具备：具有n型AlGaN层(16)、由AlGaN层构成的活性层(17)、p型AlGaN层(19、20)的半导体层叠部(21)；n电极(23)；p电极(22)；保护绝缘膜(24)；第1及第2镀覆电极(25、26)；以及氟树脂膜(27)，在第1区域(R1)的p型AlGaN层上表面形成p电极，在第2区域(R2)的n型AlGaN层上表面形成n电极，保护绝缘膜具有n电极和p电极的至少一部分露出的开口部，第1镀覆电极与第2镀覆电极隔离而与p电极接触，将第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分覆盖，第2镀覆电极与n电极接触，氟树脂膜(27)将第1及第2镀覆电极的侧壁面及间隙部(31)的底面覆盖。
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公开(公告)号：CN107851693A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041909.9
申请日：2016-08-02
Abstract: 防止伴随紫外线发光动作的起因于电极间被填充的树脂的电特性劣化。一种具备绝缘性基材(11)、与在基材(11)的一侧面上被形成的相互地电分离的2个以上金属膜(12、13)而成的基台(10)；金属膜为上面和侧壁面被金或铂族金属覆盖，可以搭载1个以上氮化物半导体发光元件等、整体而言被形成包含2个以上电极垫的规定俯视形状，在基材(11)的一侧面上，沿着不被金属膜(12、13)覆盖的基材(11)的露出面与金属膜(12、13)的侧壁面的边界线，至少，与所述边界线连续的基材(11)的露出面相邻接的2个电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的金属膜(12、13)的侧壁面，由氟树脂膜(16)覆盖，金属膜(12、13)的上面的至少构成电极垫之处，不被氟树脂膜(16)覆盖。
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公开(公告)号：CN104813492A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201480003211.9
申请日：2014-04-17
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/8192
Abstract: 提供防止伴随紫外线发光动作的起因于封装树脂的电特性劣化的高品质、高可靠度的紫外线发光装置。其是具有包含氮化物半导体的紫外线发光元件2和被覆紫外线发光元件2的紫外线透过性的封装树脂3而成的紫外线发光装置，其中，封装树脂3内至少与紫外线发光元件2的焊盘电极16、17接触的特定部分3a为第一类型的非晶氟树脂，构成第一类型的非晶氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团是对构成焊盘电极16、17的金属不呈结合性的非反应性末端官能团。
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公开(公告)号：CN108140703A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201580083867.0
申请日：2015-10-27
Abstract: 氮化物半导体紫外线发光装置(1)通过将氮化物半导体紫外线发光元件(10)倒装芯片安装在基台(30)上，并通过末端官能基为全氟烷基的非晶质氟树脂进行树脂密封而成，该氮化物半导体紫外线发光元件具备蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)表面上的AlGaN系半导体的半导体层叠部(12)、n电极(13)、p电极(14)、以及形成在蓝宝石基板(11)背面上的使紫外线透过的背面覆盖层(15)。背面覆盖层(15)具有使蓝宝石基板(11)的背面的一部分露出的开口部(16)，开口部(16)配置为均匀地分散或分布在所述蓝宝石基板的背面上，开口部(16)的与蓝宝石基板(11)的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的开口宽度比远离所述背面的部位的开口宽度大的部分，背面覆盖层(15)的表面被所述非晶质氟树脂覆盖，开口部(16)的内部被所述非晶质氟树脂覆盖填充。
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公开(公告)号：CN104813492B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480003211.9
申请日：2014-04-17
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/8192
Abstract: 提供防止伴随紫外线发光动作的起因于封装树脂的电特性劣化的高品质、高可靠度的紫外线发光装置。其是具有包含氮化物半导体的紫外线发光元件2和被覆紫外线发光元件2的紫外线透过性的封装树脂3而成的紫外线发光装置，其中，封装树脂3内至少与紫外线发光元件2的焊盘电极16、17接触的特定部分3a为第一类型的非晶氟树脂，构成第一类型的非晶氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团是对构成焊盘电极16、17的金属不呈结合性的非反应性末端官能团。
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