紫外线发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109314167A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780034026.X

    申请日:2017-04-10

    Abstract: 防止非键合性的非晶态氟树脂的剥离,提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。用非晶态氟树脂(40)密封具备倒装芯片安装于基台(30)上的蓝宝石基板(11)的氮化物半导体紫外线发光元件(10)的紫外线发光装置(1),其中,蓝宝石基板(11)的背面为外延生长等级的研磨面,或算术平均粗糙度Ra为25nm以上的粗面,且构成非晶态氟树脂(40)的聚合物或共聚物的结构单元具有含氟脂肪族环结构,非晶态氟树脂(40)之中,构成与发光元件(10)直接接触的第1树脂部分的聚合物或共聚物的末端官能团为全氟烷基,该第1树脂部分的重均分子量在蓝宝石基板(11)的背面为上述研磨面的情况下为230000以上,在蓝宝石基板(11)的背面为上述粗面的情况下为160000以上。

    氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109314166A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780033986.4

    申请日:2017-02-27

    Abstract: 通过使用非键合性的非晶态氟树脂,防止因光化学反应而引起的电气特性的劣化及非晶态氟树脂的分解等,此外,防止该非晶态氟树脂剥离,提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。氮化物半导体紫外线发光装置(1)具备:基台(30);在基台(30)上安装了倒装芯片的氮化物半导体紫外线发光元件;以及直接接触氮化物半导体紫外线发光元件并进行被覆的非晶态氟树脂(40)。氮化物半导体紫外线发光元件具备:蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)的主面上的多个AlGaN系半导体层(12)、n电极(13)、以及p电极(14)。非晶态氟树脂(40)的末端官能团为全氟烷基,非晶态氟树脂(40)进入至形成在蓝宝石基板(11)的侧面的凹部的内部。

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