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公开(公告)号：CN110402193A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880012122.9
申请日：2018-01-15
Applicant: 日进材料股份有限公司
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的附有载体箔的超薄铜箔包括载体箔、剥离层、第一超薄铜箔、Cu-Al接合强度提高层、Al层和第二超薄铜箔，其中剥离层可包含具有剥离性能的第一金属(A3)以及有利于第一金属(A3)的镀覆的第二金属(B3)和第三金属(C3)。
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公开(公告)号：CN107130288A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610853234.X
申请日：2016-09-26
Applicant: 日进材料股份有限公司
IPC: C25F3/02
CPC classification number: C25D7/0614 , C25D1/04 , C25D3/54 , C25D3/58 , C25D5/16 , C25D5/34 , H05K3/384 , H05K2201/0373 , C25F3/02
Abstract: 本发明公开一种经表面处理的铜箔及其制造方法。该制造方法包括如下步骤：第一步骤，准备电解铜箔；第二步骤，对所述电解铜箔的表面进行酸洗处理；第三步骤，在包含有Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中的至少一种物质的镀浴中对所述经酸洗处理的电解铜箔进行粗糙化处理，从而形成凸粒；第四步骤，在形成的所述凸粒的上部形成外盖镀金属层。根据本发明，通过利用Mo、Co、W、Mn等金属离子对电解铜箔进行粗糙化处理，可以提高铜箔的粘接强度。
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公开(公告)号：CN113005484A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011493854.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 日进材料股份有限公司
Abstract: 本申请提供了：一种经表面处理的铜箔，包括在未经处理的铜箔的至少一侧上形成的经表面处理的层和在经表面处理的层上形成的防氧化层，其中经表面处理的层包含平均粒径为约10nm至约100nm的铜颗粒，并且具有0.2μm至0.5μm的十点平均粗糙度Rz，以及200以上的光泽度(Gs 60°)，并且防氧化层包含镍(Ni)和磷(P)；这种经表面处理的铜箔的制造方法；一种包括经表面处理的铜箔的铜箔层叠体；以及一种包括铜箔层叠体的印刷线路板。
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公开(公告)号：CN110382224A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880012181.6
申请日：2018-01-15
Applicant: 日进材料股份有限公司
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的附有载体箔的超薄铜箔包括载体箔、剥离层、第一超薄铜箔、防Cu扩散层、Al层和第二超薄铜箔，其中剥离层可包含具有剥离性能的第一金属(A2)以及有利于第一金属(A2)的镀覆的第二金属(B2)和第三金属(C2)。
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公开(公告)号：CN105874891A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071903.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 日进材料股份有限公司
CPC classification number: H05K3/384 , C25D1/04 , C25D3/58 , C25D5/02 , C25D5/48 , H05K3/022 , H05K2201/0358 , H05K2203/0307
Abstract: 本发明公开一种铜箔，其粗糙度低且粘接强度优良。所公开的一种铜箔，在至少一个表面形成有凹凸，并在表面形成有微细粒子层，其中，位于基于表面平均高度的平均线上方的上部微细粒子比位于所述平均线下方的下部微细粒子更多。
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公开(公告)号：CN114788054A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201980102949.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 日进材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于二次电池负极集电体的经表面处理的铜箔；用于制造该经表面处理的铜箔的方法；以及包括该经表面处理的铜箔的二次电池用负极，其中在铜箔的至少一个表面上的平均长轴长度为约0.6μm至约2.0μm的针状铜颗粒彼此间隔的距离为约1μm至约5μm。
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公开(公告)号：CN110785877A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201780088950.6
申请日：2017-12-11
Applicant: 日进材料股份有限公司
IPC: H01M4/134 , H01M4/66 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种二次电池用阳极及其制造方法，以及使用其制造的二次锂电池。该阳极包括：电解铜箔集流体；阳极活性材料层，其设置在电解铜箔集流体的单个表面或两个表面上而且包括锂粉末；以及保护层，其设置在阳极活性材料层上；其中，电解铜箔集流体的厚度在2μm至20μm之间，阳极活性材料层和设置在电解铜箔集流体上的保护层的厚度为100μm以下。
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公开(公告)号：CN107018622A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610873302.9
申请日：2016-09-30
Applicant: 日进材料股份有限公司
CPC classification number: H05K3/384 , C25D3/08 , C25D3/22 , C25D3/58 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D5/52 , C25D7/00 , C25D7/0614 , H05K1/09 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0723 , C25D3/38 , C25D3/56 , H05K3/389
Abstract: 本发明涉及一种微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法。具体而言，根据本发明的微电路基板用经表面处理的铜箔的制造方法包括如下步骤：第一步骤，在包含有Co、Ni、Mo、W、Cu、Fe中的一种以上的金属离子的镀液中将铜箔布置成阴极，并电解处理而形成金属合金层；作为粗糙化处理层形成步骤的第二步骤，对形成的所述金属合金层进行粗糙化处理而形成突起物；第三步骤，在所述粗糙化处理层上形成Zn被覆膜层；第四步骤，在所述被覆膜层上形成铬酸盐层；第五步骤，在所述电解铬酸盐层上形成硅烷偶联剂处理层。本发明具有如下技术效果：通过形成金属合金层而对铜箔进行表面处理，从而可以提高铜箔的剥离强度。
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公开(公告)号：CN110301040A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880012137.5
申请日：2018-01-15
Applicant: 日进材料股份有限公司
IPC: H01L23/00 , C25D3/00 , C23C14/34 , C23C14/16 , H01L21/288 , H01L21/285 , H01L21/56
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的附有载体箔的超薄铜箔包括载体箔、剥离层、第一超薄铜箔、Al层和第二超薄铜箔，其中剥离层可包含具有剥离性能的第一金属(A1)以及有利于第一金属(A1)的镀覆的第二金属(B1)和第三金属(C1)。
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公开(公告)号：CN105873759A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071796.8
申请日：2014-12-26
Applicant: 日进材料股份有限公司
CPC classification number: H05K1/09 , H05K3/385 , H05K2201/0355
Abstract: 本发明公开一种铜箔，其表现出优良的蚀刻性，与此同时表现出高透光率。所公开的铜箔在至少一个表面包括：表面处理层，包含有金属氧化物。
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