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公开(公告)号:CN104508434A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201380040625.4
申请日:2013-06-28
Applicant: 日立汽车系统株式会社
CPC classification number: G01F1/692 , G01F1/6842 , G01F1/6845
Abstract: 提供流量测定精度高的热式空气流量传感器。该热式空气流量传感器具有测定元件,该测定元件包括:半导体衬底;电绝缘体,其包括在上述半导体衬底上沉积薄膜而形成的发热电阻体、测温电阻体和氧化硅膜;和隔膜部,其是将半导体衬底的一部分除去而形成的,在上述隔膜部上形成有上述发热电阻体和上述测温电阻体,薄膜相对于上述测定元件的面积的占有面积的比率为40%~60%。
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公开(公告)号:CN106662477B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201580041838.8
申请日:2015-07-01
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01F1/692
Abstract: 本发明的目的在于提供一种降低了因作用在物理量传感器的传感元件上的应力而产生的误差的、高精度、高可靠性的物理量传感器。本发明的物理量传感装置包括形成在Si基板上的空腔部、将所述空腔部覆盖的绝缘膜和形成于所述绝缘膜的加热部,并且包括检测所述空腔部上的绝缘膜的温度的检测元件,所述检测元件包括第一硅元件和第二硅元件,所述第一硅元件和所述第二硅元件使用不同种类的杂质进行了掺杂。
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公开(公告)号:CN107110685B
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201580062106.7
申请日:2015-11-26
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种在同一基片上形成有检测部和电路部的热式流体流量传感器,在检测部的层间绝缘膜形成较深的凹部、在其上形成具有拉伸应力的绝缘膜而进行应力调整时,能够防止因该绝缘膜产生裂缝等而导致热式流体流量传感器的可靠性降低的情况。其方案是在薄膜部上在形成于层间绝缘膜的凹部的侧壁设置阶梯状的台阶。由此减少构成凹部的第一凹部和第二凹部各自的深度,使覆盖凹部的侧壁和底面的调整应力用的绝缘膜的包覆性提高。
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公开(公告)号:CN103975226B
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201180075125.5
申请日:2011-11-28
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01F1/692
Abstract: 本发明提供减少了测量误差的热式空气流量传感器。上述热式空气流量传感器包括:半导体衬底;形成于上述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体;和将上述半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部,上述发热电阻体和上述测温电阻体形成在上述膜片部上,在上述发热电阻体和上述测温电阻体的上层具有作为上述电绝缘体而形成的氮化硅膜,其中,上述氮化硅膜形成有与上述发热电阻体和上述测温电阻体图案对应的台阶,并且,上述氮化硅膜为多层构造。
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公开(公告)号:CN112313481A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201980042201.9
申请日:2019-06-20
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 流量传感器包括:引线框;半导体芯片,其配置在所述引线框的一个面上,在所述半导体芯片形成了在所述引线框一侧具有空腔部的膜片;流量检测部,其形成在所述半导体芯片的包含所述膜片上的所述一个面上;和树脂,其具有使形成在所述膜片上的所述流量检测部的至少一部分露出的流路用开口部,覆盖所述引线框和所述半导体芯片,所述树脂的、覆盖在所述引线框的与所述一个面一侧为相反侧的另一个面一侧的下部侧树脂部,在与所述膜片的周缘部相对的区域具有比周围薄的薄壁部。
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公开(公告)号:CN104508434B
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201380040625.4
申请日:2013-06-28
Applicant: 日立汽车系统株式会社
CPC classification number: G01F1/692 , G01F1/6842 , G01F1/6845
Abstract: 提供流量测定精度高的热式空气流量传感器。该热式空气流量传感器具有测定元件,该测定元件包括:半导体衬底;电绝缘体,其包括在上述半导体衬底上沉积薄膜而形成的发热电阻体、测温电阻体和氧化硅膜;和隔膜部,其是将半导体衬底的一部分除去而形成的,在上述隔膜部上形成有上述发热电阻体和上述测温电阻体,薄膜相对于上述测定元件的面积的占有面积的比率为40%~60%。
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公开(公告)号:CN103975226A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201180075125.5
申请日:2011-11-28
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01F1/692
Abstract: 本发明提供减少了测量误差的热式空气流量传感器。上述热式空气流量传感器包括:半导体衬底;形成于上述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体;和将上述半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部,上述发热电阻体和上述测温电阻体形成在上述膜片部上,在上述发热电阻体和上述测温电阻体的上层具有作为上述电绝缘体而形成的氮化硅膜,其中,上述氮化硅膜形成有与上述发热电阻体和上述测温电阻体图案对应的台阶,并且,上述氮化硅膜为多层构造。
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公开(公告)号:CN107003165B
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201580064579.0
申请日:2015-11-18
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01F1/692
Abstract: 在现有的空气流量计中,对于粒径较大的异物利用惯性力来应对接触检测元件,但是对于粒径在10μm以下的质量非常小的异物,存在在旁通结构内部惯性力几乎不起作用而附着在检测元件上的可能性。另外,上述粒径在10μm以下的质量非常小的异物主要可列举美国SAE标准J726C中规定的AC粉尘等,是对美国亚利桑那的沙漠的沙进行精炼而制造的,已知该沙(沙尘)易于带电,存在带有静电的粒径较小的粉尘附着在检测元件上时,因其库仑力而难以脱离的课题。上述课题能够用以下特征的热式流量传感器解决,其包括检测流量的半导体元件,该半导体元件在硅等半导体基片上形成绝缘层和电阻配线层,存在除去上述基片的一部分而薄膜化的区域(薄膜),在该薄膜区域内设置至少一个以上的加热电阻体(加热部),在其上游和下游配置有检测温度差的测温电阻体,在半导体元件上形成导电性膜,以使上述薄膜内的配线电阻周边区域中的向空气流暴露的表面一侧的电位成为任意的固定电位。
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公开(公告)号:CN107110685A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580062106.7
申请日:2015-11-26
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种在同一基片上形成有检测部和电路部的热式流体流量传感器,在检测部的层间绝缘膜形成较深的凹部、在其上形成具有拉伸应力的绝缘膜而进行应力调整时,能够防止因该绝缘膜产生裂缝等而导致热式流体流量传感器的可靠性降低的情况。其方案是在薄膜部上在形成于层间绝缘膜的凹部的侧壁设置阶梯状的台阶。由此减少构成凹部的第一凹部和第二凹部各自的深度,使覆盖凹部的侧壁和底面的调整应力用的绝缘膜的包覆性提高。
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公开(公告)号:CN107003165A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580064579.0
申请日:2015-11-18
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01F1/692
Abstract: 在现有的空气流量计中,对于粒径较大的异物利用惯性力来应对接触检测元件,但是对于粒径在10μm以下的质量非常小的异物,存在在旁通结构内部惯性力几乎不起作用而附着在检测元件上的可能性。另外,上述粒径在10μm以下的质量非常小的异物主要可列举美国SAE标准J726C中规定的AC粉尘等,是对美国亚利桑那的沙漠的沙进行精炼而制造的,已知该沙(沙尘)易于带电,存在带有静电的粒径较小的粉尘附着在检测元件上时,因其库仑力而难以脱离的课题。上述课题能够用以下特征的热式流量传感器解决,其包括检测流量的半导体元件,该半导体元件在硅等半导体基片上形成绝缘层和电阻配线层,存在除去上述基片的一部分而薄膜化的区域(薄膜),在该薄膜区域内设置至少一个以上的加热电阻体(加热部),在其上游和下游配置有检测温度差的测温电阻体,在半导体元件上形成导电性膜,以使上述薄膜内的配线电阻周边区域中的向空气流暴露的表面一侧的电位成为任意的固定电位。
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