公开(公告)号：CN108027293A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054391.2

申请日：2016-08-03

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 金野雄志 ,  菊地广 ,  宫岛健太郎 ,  出川宗里

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明提供一种高性能的半导体传感器装置及其制造方法。本发明的半导体传感器装置具有传感器芯片和形成于所述传感器芯片的第一薄膜，所述传感器芯片隔着所述第一薄膜与形成于多晶材料的底座的第二薄膜机械性地连接。

公开(公告)号：CN108450008A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201680057926.1

申请日：2016-08-03

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 出川宗里 ,  菊地广

IPC: G01P15/08 ,  B81B3/00 ,  G01C19/5747 ,  G01C19/5783 ,  G01D21/02 ,  G01L9/00 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明提供一种能够小型化的惯性力传感器。本发明的惯性力传感器具有形成有检测部(20、30)的层(1a、2a)，所述层是2个以上层叠在一起的层叠结构体。

公开(公告)号：CN108027293B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201680054391.2

申请日：2016-08-03

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 金野雄志 ,  菊地广 ,  宫岛健太郎 ,  出川宗里

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明提供一种高性能的半导体传感器装置及其制造方法。本发明的半导体传感器装置具有传感器芯片和形成于所述传感器芯片的第一薄膜，所述传感器芯片隔着所述第一薄膜与形成于多晶材料的底座的第二薄膜机械性地连接。