公开(公告)号：CN117203884A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030659.4

申请日：2022-02-24

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 铃木弘 ,  和田真一郎 ,  土肥昌宏 ,  水桥嘉章

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明的半导体开关元件的驱动装置包括：栅极驱动电路，其用于驱动电压驱动型的半导体开关元件的栅极驱动电路；以及栅极电压保持电路，其将施加到所述半导体开关元件上的栅极电压保持在规定的保持电压，该规定的保持电压大于所述半导体开关元件的阈值电压并且小于所述半导体开关元件的米勒电压，所述栅极电压保持电路在所述半导体开关元件关断时的所述半导体开关元件的主端子间电压上升之后、并且所述主端子间电压变为极大值之前，开始将所述栅极电压保持在所述保持电压的动作。

公开(公告)号：CN114175488B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202080054451.7

申请日：2020-07-13

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 矢野智比古 ,  和田真一郎 ,  小林洋一郎

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/797 ,  H01L23/34

Abstract: 提供一种新的电力转换装置，其能够在不使用温度检测二极管的情况下推定功率器件的温度，而且能够准确地推定观测主电流的电流感测元件的温度和电流。利用主控制元件(31)和电流感测元件(49)的源极端子间的半导体基板的电阻值具有温度依赖性这一情况，在主控制元件(31)和电流感测元件(49)断开的状态下，在主控制元件(31)和电流感测元件(49)的源极端子(31s、49s)间施加测定电压(Vref)，此时根据主控制元件(31)和电流感测元件(49)的源极端子(31s、49s)间流过的电流(Ib)来推定功率器件(30)的温度。

公开(公告)号：CN109643993B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201780047545.X

申请日：2017-07-07

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 和田真一郎 ,  曾根原理仁

IPC: H03K17/0814 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/695

Abstract: 本发明提供一种能在维持电流性能的情况下提高有源钳位状态下的晶体管的温度的均匀性的半导体装置。本发明中，功率晶体管(14)与功率晶体管(13)并联连接。有源钳位电路(8)设置在从功率晶体管(13)与功率晶体管(14)之间的连接点(P1)到功率晶体管(13)的栅极为止的路径(R1)上，在连接点(P1)的电压超过了第1阈值的情况下导通。有源钳位切断电路(12)设置在从有源钳位电路(8)到功率晶体管(14)的栅极为止的路径(R2)上，切断或抑制流至路径(R2)的电流。

公开(公告)号：CN114788156A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080085108.9

申请日：2020-11-27

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 矢野智比古 ,  和田真一郎

IPC: H02M7/48 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/084 ,  H02M1/088 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明提供一种能够正确地进行基于传感电流观测的功率器件的主电流推定的电力转换装置。电力转换装置具备：逆变器电路(22)，其包含具有主元件以及传感元件的器件；临时主电流推定器(43)，其根据流过传感元件的传感电流，将流过主元件的电流推定为临时主电流；温度差推定器(44)，其基于针对主元件的栅极驱动信号以及临时主电流，推定主元件与传感元件的温度差；主电流修正器(45)，其使用所推定的温度差以及主元件的导通电阻温度特性来修正临时主电流，并且作为修正完毕主电流输出；以及逆变器控制电路(24)，其基于修正完毕主电流，输出栅极驱动信号。

公开(公告)号：CN114175488A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054451.7

申请日：2020-07-13

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 矢野智比古 ,  和田真一郎 ,  小林洋一郎

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/797 ,  H01L23/34

Abstract: 提供一种新的电力转换装置，其能够在不使用温度检测二极管的情况下推定功率器件的温度，而且能够准确地推定观测主电流的电流感测元件的温度和电流。利用主控制元件(31)和电流感测元件(49)的源极端子间的半导体基板的电阻值具有温度依赖性这一情况，在主控制元件(31)和电流感测元件(49)断开的状态下，在主控制元件(31)和电流感测元件(49)的源极端子(31s、49s)间施加测定电压(Vref)，此时根据主控制元件(31)和电流感测元件(49)的源极端子(31s、49s)间流过的电流(Ib)来推定功率器件(30)的温度。

公开(公告)号：CN108028226B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201680050965.9

申请日：2016-08-02

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 大岛隆文 ,  和田真一郎 ,  池谷克己 ,  米田浩志

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制有源元件的温度上升的车载用半导体装置。一种车载用半导体装置，包括：半导体基板；多个有源元件，它们在半导体基板上形成；多个沟槽，它们包围并绝缘隔离多个有源元件；以及端子，其用于将被多个沟槽中的不同沟槽绝缘隔离的多个有源元件并联连接并与外部连接。

公开(公告)号：CN108140611B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201680033010.2

申请日：2016-07-01

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 和田真一郎 ,  大岛隆文 ,  池谷克己

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够不使导通耐压降低地抑制导通电阻的特性变化的开关元件以及负载驱动装置。本发明的特征在于，具有：控制用电极；有源元件区域；以及无源元件区域，所述有源元件区域和所述无源元件区域相邻地形成在所述控制用电极上。或者，在具有电流驱动用开关元件和与所述负载驱动用开关元件并联连接的、用于对所述负载驱动用开关元件的通电电流进行检测的电流检测用开关元件的负载驱动装置中，至少所述电流检测用开关元件具有：控制用电极；有源元件区域；以及无源元件区域，所述有源元件区域和所述无源元件区域相邻地形成在所述控制用电极上。

公开(公告)号：CN112236861B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201980032595.X

申请日：2019-04-23

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 大岛隆文 ,  池谷克己 ,  北雅人 ,  小森山惠士 ,  菅野清隆 ,  和田真一郎

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种在具有多个晶体管元件的半导体装置中，随时间的特性变动少、可靠性高的半导体装置和使用该半导体装置的车载控制装置，其中，多个晶体管元件构成要求高相对精度的电流镜电路、差动放大电路。该半导体装置具备：第一MOS晶体管；与所述第一MOS晶体管成对的第二MOS晶体管；进行元件间的绝缘隔离的绝缘隔离壁，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的相对特性在规定的范围内，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管相互在栅极宽度方向或栅极长度方向上排列，在与所述栅极宽度方向或所述栅极长度方向垂直的方向上，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管各自的栅极氧化膜与相对的所述绝缘隔离壁之间的距离相等。

公开(公告)号：CN115606080A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180034387.0

申请日：2021-02-05

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社(JP)

Inventor： 和田真一郎 ,  矢野智比古 ,  小林洋一郎

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明提供一种能在不增大搭载有用于观测功率器件的主电流的电流感测元件的电力变换装置的成本的情况下高精度地观测芯片温度的电力变换装置。在功率器件的芯片内搭载主控制用MOSFET(11)、电流MOSFET(12)、以及连接于主控制用MOSFET(11)的源极电极(8)和电流MOSFET(12)的源极电极(9)的二极管(13)，在电流MOSFET(12)的源极电极(9)上连接温度测定电路(3)，在主控制用MOSFET(11)处于断开状态时，对二极管(13)流通正向电流(If)，同时观测阳极电位，由此来测定芯片温度。

公开(公告)号：CN108352359B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201780004060.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 和田真一郎 ,  池个谷克己

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供能够提高低侧晶体管的放热性并且抑制高侧晶体管的基板偏置效应的半导体装置。高侧NMOS晶体管(101)形成于SOI基板(30)的表面区域(S1)。沟槽(41)围绕高侧NMOS晶体管(101)。SiO2(第一绝缘体)填埋沟槽(41)。低侧NMOS晶体管(102)形成于沟槽(41)周围的SOI基板(30)的表面区域(S2)。使侧面(Sf)露出，所述侧面(Sf)连接形成低侧NMOS晶体管(102)的区域(S2)和SOI基板(30)的背面。