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公开(公告)号：CN113614917B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202080019736.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：具有第1功率半导体元件的第1子模块；具有第2功率半导体元件的第2子模块；正极侧导体部和负极侧导体部；形成将第1子模块夹在中间而与负极侧导体部相对的负极侧相对部、和将第2子模块夹在中间而与正极侧导体部相对的正极侧相对部的中间基板；通过传输信号来控制第1功率半导体元件或第2功率半导体元件的多个信号端子，第2子模块以使第2功率半导体元件的电极面与第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式配置，在第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和中间基板之间的空间中配置信号中继导体部，中间基板具有与信号中继导体部连接且与信号端子电连接的布线。由此，在抑制主电路电感增大的同时，提高功率半导体装置的生产率。
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公开(公告)号：CN118804810A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202280093041.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在狭小的作业空间中高品质地焊接具有不同的板厚或形状等的母材彼此的电弧焊接装置。电弧焊接装置(1)分别具有平坦部(81、91)及弯曲部(82、92)，各个平坦部(81、91)在彼此接近的方向上延伸，各个弯曲部(82、92)从平坦部(81、91)弯曲且在平坦部(81、91)的交叉方向上延伸并彼此抵接，从而对第一母材(80)和第二母材(90)进行焊接，该电弧焊接装置包括焊接电极(11)、沿第一母材(80)的弯曲部(82)延伸且与第一母材(80)的平坦部(81)抵接的第一接地电极(20)、以及沿第二母材(90)的弯曲部(92)延伸且与第二母材(90)的平坦部(91)抵接的第二接地电极(30)，第一接地电极(20)和第二接地电极(30)彼此独立且分别与第一母材(80)的平坦部(81)和第二母材(90)的平坦部(91)抵接。
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公开(公告)号：CN113614917A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080019736.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：具有第1功率半导体元件的第1子模块；具有第2功率半导体元件的第2子模块；正极侧导体部和负极侧导体部；形成将第1子模块夹在中间而与负极侧导体部相对的负极侧相对部、和将第2子模块夹在中间而与正极侧导体部相对的正极侧相对部的中间基板；通过传输信号来控制第1功率半导体元件或第2功率半导体元件的多个信号端子，第2子模块以使第2功率半导体元件的电极面与第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式配置，在第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和中间基板之间的空间中配置信号中继导体部，中间基板具有与信号中继导体部连接且与信号端子电连接的布线。由此，在抑制主电路电感增大的同时，提高功率半导体装置的生产率。
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