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公开(公告)号：CN113614917B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202080019736.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：具有第1功率半导体元件的第1子模块；具有第2功率半导体元件的第2子模块；正极侧导体部和负极侧导体部；形成将第1子模块夹在中间而与负极侧导体部相对的负极侧相对部、和将第2子模块夹在中间而与正极侧导体部相对的正极侧相对部的中间基板；通过传输信号来控制第1功率半导体元件或第2功率半导体元件的多个信号端子，第2子模块以使第2功率半导体元件的电极面与第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式配置，在第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和中间基板之间的空间中配置信号中继导体部，中间基板具有与信号中继导体部连接且与信号端子电连接的布线。由此，在抑制主电路电感增大的同时，提高功率半导体装置的生产率。
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公开(公告)号：CN112567619B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980047905.5
申请日：2019-07-11
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的课题是不损害功率半导体装置的散热性地抑制过电流发生时的过电压，并提高可靠性。本发明的功率半导体装置具备：功率半导体元件，其具有低电位侧电极、高电位侧电极和感测电极；高电位侧导体，其与高电位侧电极电连接；低电位侧导体，其与低电位侧电极电连接；感测布线，其与感测电极电连接；以及第一金属部，其隔着感测布线与低电位侧导体或低电位侧导体相对，关于第一金属部，在从感测布线和第一金属部的排列方向观察的情况下，感测布线具有与高电位侧导体或低电位侧导体相对的相对部，第一金属部在与相对部重叠的部分形成凹部，凹部的深度以该凹部的底部和感测布线的距离大于该感测布线和高电位侧导体或低电位侧导体的距离的方式形成。
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公开(公告)号：CN113614917A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080019736.7
申请日：2020-01-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：具有第1功率半导体元件的第1子模块；具有第2功率半导体元件的第2子模块；正极侧导体部和负极侧导体部；形成将第1子模块夹在中间而与负极侧导体部相对的负极侧相对部、和将第2子模块夹在中间而与正极侧导体部相对的正极侧相对部的中间基板；通过传输信号来控制第1功率半导体元件或第2功率半导体元件的多个信号端子，第2子模块以使第2功率半导体元件的电极面与第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式配置，在第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和中间基板之间的空间中配置信号中继导体部，中间基板具有与信号中继导体部连接且与信号端子电连接的布线。由此，在抑制主电路电感增大的同时，提高功率半导体装置的生产率。
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