公开(公告)号：CN111480218A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201780097759.8

申请日：2017-12-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  柳田裕贵 ,  上野惠子

IPC: H01L21/60 ,  C09J5/06 ,  C09J7/10 ,  C09J201/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；将临时压接体夹在相对配置的一对挤压构件之间，一边加热至大于或等于第一构件的连接部或第二构件的连接部中至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及将压接体在加压气氛下进一步加热的工序。第一构件为半导体芯片或半导体晶片，第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。

公开(公告)号：CN110945634A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880048265.5

申请日：2018-07-13

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 上野惠子 ,  增子崇 ,  管井颂太

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/36

Abstract: 本发明涉及散热性芯片接合膜，其是热导率为2W/(m·K)以上的散热性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，切割工序中的刀片摩耗量为50μm/m以下；或者其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，热导性填充物的含量为20～85质量％。

公开(公告)号：CN110582840A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880025917.3

申请日：2018-04-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  佐藤慎 ,  上野惠子 ,  小关裕太

IPC: H01L21/60 ,  B23K1/00 ,  C09J5/06 ,  C09J7/10 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其的制造方法，所述半导体装置的制造方法具备下述工序：通过粘接剂将具有连接部的第一部件与具有连接部的第二部件在比第一部件的连接部的熔点及第二部件的连接部的熔点更低的温度下进行预压接，从而得到第一部件的连接部与第二部件的连接部相对配置的预压接体的工序，和将预压接体在利用气压进行加压的同时加热到第一部件的连接部或第二部件的连接部中的至少一个的熔点以上的温度，由此将相对配置的连接部彼此以电连接的方式进行接合的工序，其中，第一部件为半导体芯片或半导体晶片，第二部件为布线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。