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公开(公告)号：CN110582840A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880025917.3
申请日：2018-04-20
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/60 , B23K1/00 , C09J5/06 , C09J7/10 , C09J201/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其的制造方法，所述半导体装置的制造方法具备下述工序：通过粘接剂将具有连接部的第一部件与具有连接部的第二部件在比第一部件的连接部的熔点及第二部件的连接部的熔点更低的温度下进行预压接，从而得到第一部件的连接部与第二部件的连接部相对配置的预压接体的工序，和将预压接体在利用气压进行加压的同时加热到第一部件的连接部或第二部件的连接部中的至少一个的熔点以上的温度，由此将相对配置的连接部彼此以电连接的方式进行接合的工序，其中，第一部件为半导体芯片或半导体晶片，第二部件为布线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。
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