-
公开(公告)号:CN103476894B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201280018169.9
申请日:2012-04-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J5/06 , C09J7/02 , C09J177/06 , C09J179/08 , C09J201/06
CPC classification number: C09J179/08 , C09J177/00
Abstract: 一种粘着剂,其含有具有如下结构单元的缩合系树脂,满足下述(1)及(2)中的至少一者,所述结构单元通过使包含具有至少2个羧基的单体A)及具有至少2个氨基的单体(B)的聚合性单体缩聚而得。(1)由前述单体(A)、前述单体(A)的酸酐及前述单体(B)组成的组中选出的至少一种在25℃为液状。(2)前述缩合系树脂具有聚氧烷二基。
-
公开(公告)号:CN103476894A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201280018169.9
申请日:2012-04-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J5/06 , C09J7/02 , C09J177/06 , C09J179/08 , C09J201/06
CPC classification number: C09J179/08 , C09J177/00
Abstract: 一种粘着剂,其含有具有如下结构单元的缩合系树脂,满足下述(1)及(2)中的至少一者,所述结构单元通过使包含具有至少2个羧基的单体(A)及具有至少2个氨基的单体(B)的聚合性单体缩聚而得。(1)由前述单体(A)、前述单体(A)的酸酐及前述单体(B)组成的组中选出的至少一种在25℃为液状。(2)前述缩合系树脂具有聚氧烷二基。
-
公开(公告)号:CN111480218A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201780097759.8
申请日:2017-12-18
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法,其具备如下工序:使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接,从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序;将临时压接体夹在相对配置的一对挤压构件之间,一边加热至大于或等于第一构件的连接部或第二构件的连接部中至少一方的熔点的温度一边加压,从而得到压接体的工序;以及将压接体在加压气氛下进一步加热的工序。第一构件为半导体芯片或半导体晶片,第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。
-
公开(公告)号:CN109153239A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201780031010.3
申请日:2017-05-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J133/00 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/28
Abstract: 一种脱模膜,其包含支撑体以及电磁波屏蔽片,所述支撑体包含基材和配置于所述基材上的粘着层,所述电磁波屏蔽片配置于所述支撑体的所述粘着层上,并且所述粘着层与所述电磁波屏蔽片之间的剥离力为0.10N/50mm~2.00N/50mm。
-
-
-