公开(公告)号：CN102439671A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080010554.X

申请日：2010-03-08

Applicant: 日本贵弥功株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 玉光贤次 ,  石本修一 ,  直井胜彦 ,  直井和子 ,  羽鸟浩章 ,  畠贤治 ,  汤村守雄

IPC: H01G9/058 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/485 ,  H01M4/583

CPC classification number: H01M4/483 ,  C01G23/005 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  H01G11/24 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M4/625 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明提供一种可以降低碳材料含有率，提高容量特性的电极材料及含有该电极材料的电极。包含在化学反应过程中，在旋转反应器中向含反应抑制剂的反应物施加剪切应力和离心力而生成的金属氧化物纳米粒子、和在旋转反应器中施加剪切应力和离心力而分散的比表面积为600～2600m2/g的碳纳米管，使所述金属氧化物纳米粒子高度分散担载在所述碳纳米管上。作为所述金属氧化物优选钛酸锂。

公开(公告)号：CN102482797A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039838.1

申请日：2010-09-07

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  东海炭素株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 藤冈洋 ,  平崎哲郎 ,  植仁志 ,  山下顺也 ,  羽鸟浩章

IPC: C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有结晶性高的半导体层的半导体基板。所述半导体基板为：具备石墨层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述半导体层设置于该石墨层的表面上、以该石墨层的表面作为生长面；具备表面具有石墨层的基板、缓冲层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述缓冲层设置于所述石墨层的表面上、以所述石墨层的表面作为生长面，所述半导体层设置于所述缓冲层上、以所述缓冲层的表面作为生长面。

公开(公告)号：CN104903500A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380069069.3

申请日：2013-11-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 入泽寿平 ,  羽鸟浩章 ,  曾根田靖 ,  儿玉昌也

IPC: D01F9/24 ,  D01F6/74

CPC classification number: D01F6/74 ,  D01F6/605 ,  D01F9/24 ,  D01F9/30

Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于，提供一种碳纤维前体纤维、碳纤维以及该碳纤维的制备方法，即使不进行不熔化处理，也能够高效地制备出机械强度优异的碳纤维。本发明的碳纤维前体纤维的特征在于，含有由下述通式(1)表示的聚合物。其中，在所述通式(1)中，Ar1表示由权利要求1中限定的结构式(1)至(5)中的任意一个表示的芳基，Ar2表示由权利要求1中限定的结构式(6)以及(7)中的任意一个表示的芳基。