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公开(公告)号：CN107135560B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710073140.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/26
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。陶瓷结构体(10)在圆盘状的AlN陶瓷基体(12)的内部内置有加热电极(14)。加热电极(14)是使主成分WC中含有与AlN相比电阻率低且热膨胀系数高的金属填料(例如Ru、RuAl)而得到的。AlN陶瓷基体(12)与加热电极(14)在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值|ΔCTE|为0.35ppm/℃以下。
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公开(公告)号：CN111902383A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980018676.4
申请日：2019-03-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L21/683
Abstract: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量％以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该下复。该合复烧合结烧体结中体的的A堆l2O积3的密烧度结为粒3.9径4分g/c布m的3以标上准且偏3差.98为g/0c.m353以以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此，能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。
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公开(公告)号：CN106796910B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201580037418.2
申请日：2015-08-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/10 , C04B35/50
Abstract: 陶瓷结构体10为在圆盘状的陶瓷基体12的内部内置有电极14的陶瓷结构体。陶瓷基体12是主成分为氧化铝或稀土金属氧化物的烧结体，热膨胀系数在40～1200℃下为7.5～9.5ppm/K。电极14的主成分为金属钌。电极14可以形成为片状，也可以按一笔画的要领以在整个面上扩展的方式形成图案。
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公开(公告)号：CN106653652A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610968551.6
申请日：2016-10-27
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , H01J37/32724 , H05B3/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器。本发明的半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的部件，作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料。氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构，或者，氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ＝59.8～60.8°。复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。
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公开(公告)号：CN110997597B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201780093781.5
申请日：2017-08-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/111 , H01L23/15 , H05K3/46
Abstract: 烧结体中，作为主相，包含氧化铝相，还包含非晶质相及堇青石相，该非晶质相含有Si和Mn。气孔率为1.1％以上5.0％以下。优选为，将利用XRD衍射法得到的、堇青石的主峰强度设为I1，将氧化铝的主峰强度设为I2时，I1/(I1+I2)为0.20以上0.45以下。在烧结体的制造中，制备如下粉末，该粉末包含：70质量％以上85质量％以下的氧化铝、按SiO2换算计3质量％以上7质量％以下的Si成分、按MnO换算计3质量％以上6.5质量％以下的Mn成分、以及8质量％以上15质量％以下的堇青石，且这4种成分的合计为85质量％以上。由粉末得到成型体，对成型体进行烧成，得到烧结体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110997597A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201780093781.5
申请日：2017-08-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111 , H01B3/12 , H01L23/15 , H05K3/46
Abstract: 烧结体中，作为主相，包含氧化铝相，还包含非晶质相及堇青石相，该非晶质相含有Si和Mn。气孔率为1.1％以上5.0％以下。优选为，将利用XRD衍射法得到的、堇青石的主峰强度设为I1，将氧化铝的主峰强度设为I2时，I1/(I1+I2)为0.20以上0.45以下。在烧结体的制造中，制备如下粉末，该粉末包含：70质量％以上85质量％以下的氧化铝、按SiO2换算计3质量％以上7质量％以下的Si成分、按MnO换算计3质量％以上6.5质量％以下的Mn成分、以及8质量％以上15质量％以下的堇青石，且这4种成分的合计为85质量％以上。由粉末得到成型体，对成型体进行烧成，得到烧结体。
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公开(公告)号：CN104064534B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410108729.0
申请日：2014-03-21
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种陶瓷部件以及半导体制造装置用部件，其在包含氧化镁的陶瓷部件以及半导体制造装置用部件中，具有性能得到改进的电极。半导体制造装置用部件20具有基材部22以及形成于基材部22上的陶瓷部件30。本发明的陶瓷部件30具有陶瓷基体32和设置在陶瓷基体32的一部分上的电极34，其中陶瓷基体32包含氧化镁、规定成分固溶于氧化镁中的氧化镁固溶体以及氧化锆中的至少一种，电极34包含作为电极成分的钌铝合金。陶瓷部件30是平板状部件，其具有电极34被埋设在其内部的结构。该电极34与从陶瓷部件30的下侧插入的供电部件26连接，由该供电部件26供给电力。
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公开(公告)号：CN113264775B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110081654.1
申请日：2021-01-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种致密质复合材料、其制法、接合体及半导体制造装置用构件。本发明的致密质复合材料含有43～63质量％的硅化钛，并且含有分别比硅化钛的质量％少量的碳化硅和碳化钛，碳化硅的粒子间距离的最大值为40μm以下，标准偏差为10以下，开口气孔率为1％以下。
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公开(公告)号：CN111902383B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201980018676.4
申请日：2019-03-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L21/683
Abstract: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量％以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该复合烧结体中的Al2O3的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下。该复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm3以上且3.98g/cm3以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此，能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。
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