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公开(公告)号：CN104303609A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025631.2
申请日：2013-02-28
Applicant: 日本石原化学株式会社
CPC classification number: H05K3/38 , H05K1/0296 , H05K1/0313 , H05K1/097 , H05K3/245 , H05K3/246 , H05K3/386 , H05K2201/0129 , H05K2201/0137 , H05K2201/0154 , H05K2201/032 , H05K2203/1126 , H05K2203/1131 , Y10T29/49163
Abstract: 在通过光烧结铜颗粒组成的膜形成的导电膜中，改善该导电膜对基底材料的粘合性。电路板1包括包含导电膜2的电路，以及基板3。该电路板1进一步包括在基板3与导电膜2之间的树脂层4。该基板3由非热塑性基底材料31制成。该树脂层4含有热塑性树脂。该导电膜2通过光烧结铜颗粒21组成的膜形成，并由此通过树脂层4改善导电膜2对基底材料31的粘合性。
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公开(公告)号：CN103975654A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060112.5
申请日：2012-08-13
Applicant: 日本石原化学株式会社 , 应用纳米技术控股股份有限公司
CPC classification number: H05K1/092 , C09D11/52 , H05K1/0306 , H05K1/032 , H05K1/0346 , H05K1/0366 , H05K1/05 , H05K1/097 , H05K3/108 , H05K3/1283 , H05K3/185 , H05K3/241 , H05K3/246 , H05K3/381 , H05K2201/0129 , H05K2201/0145 , H05K2201/2072 , H05K2203/1105
Abstract: 本发明的目的是提供一种导电膜形成方法，该方法通过利用光烧结甚至在基底材料具有低耐热性时也可以在基底材料上形成具有低电阻的导电膜。导电膜形成方法是在基底材料1上形成导电膜2的方法，并且该方法包括以下步骤：在基底材料上形成由铜微粒4构成的膜3b，对膜3b进行光烧结，以及对经光烧结的膜3c实施镀敷。藉此通过降低光烧结过程中的光照射能量甚至在基底材料1具有低耐热性时也可以在基底材料1上形成导电膜2。由于导电膜2包括镀层21，因此电阻降低。
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公开(公告)号：CN104303243B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201380025633.1
申请日：2013-02-28
Applicant: 日本石原化学株式会社
CPC classification number: H01B13/0016 , B22F3/10 , B22F3/22 , B22F7/008 , B22F7/04 , B22F2202/11 , H01B13/0026 , H01B13/003 , H05K3/1208 , H05K3/1283 , H05K2203/1157
Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。该导电膜形成方法是其中使用光烧结形成导电膜5的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成由烧结助剂2制成的层22，在烧结助剂2的层22上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜3，将该液体膜3干燥以形成铜颗粒层4，并对该铜颗粒层4施以光烧结。烧结助剂2是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，烧结助剂2在光烧结中除去铜颗粒31的表面氧化物膜。
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公开(公告)号：CN103918036B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201280054216.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 日本石原化学株式会社 , 应用纳米技术控股股份有限公司
IPC: H01B1/02
CPC classification number: H05K1/097 , C09D11/52 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H05K3/00 , H05K3/1283 , H05K2203/107 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供其中分散有铜微粒的铜微粒分散体的配方。该铜微粒分散体包括铜微粒、至少一种含有铜微粒的分散媒介、和至少一种使铜微粒在分散媒介中分散的分散剂。铜微粒的中心粒径为1nm至100nm。分散媒介是极性分散媒介。分散剂是分子量为200至100,000的具有至少一个酸性官能团的化合物或其盐。由此，分散剂与分散媒介相容，并且铜微粒的表面覆盖有分散剂分子，因此铜微粒分散在分散媒介中。
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公开(公告)号：CN104303243A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025633.1
申请日：2013-02-28
Applicant: 日本石原化学株式会社
CPC classification number: H01B13/0016 , B22F3/10 , B22F3/22 , B22F7/008 , B22F7/04 , B22F2202/11 , H01B13/0026 , H01B13/003 , H05K3/1208 , H05K3/1283 , H05K2203/1157
Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。该导电膜形成方法是其中使用光烧结形成导电膜5的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成由烧结助剂2制成的层22，在烧结助剂2的层22上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜3，将该液体膜3干燥以形成铜颗粒层4，并对该铜颗粒层4施以光烧结。烧结助剂2是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，烧结助剂2在光烧结中除去铜颗粒31的表面氧化物膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103918036A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054216.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 日本石原化学株式会社 , 应用纳米技术控股股份有限公司
IPC: H01B1/02
CPC classification number: H05K1/097 , C09D11/52 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H05K3/00 , H05K3/1283 , H05K2203/107 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供其中分散有铜微粒的铜微粒分散体的配方。该铜微粒分散体包括铜微粒、至少一种含有铜微粒的分散媒介、和至少一种使铜微粒在分散媒介中分散的分散剂。铜微粒的中心粒径为1nm至100nm。分散媒介是极性分散媒介。分散剂是分子量为200至100,000的具有至少一个酸性官能团的化合物或其盐。由此，分散剂与分散媒介相容，并且铜微粒的表面覆盖有分散剂分子，因此铜微粒分散在分散媒介中。
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公开(公告)号：CN103918037B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201280054251.7
申请日：2012-01-04
Applicant: 日本石原化学株式会社 , 应用纳米技术控股股份有限公司
IPC: H01B1/02
CPC classification number: C09D11/52 , C09D11/03 , C09D11/38 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H05K1/092 , H05K1/095 , H05K1/097 , H05K2203/0514 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供适合以液滴形式排出的铜微粒分散体。该铜微粒分散体包括铜微粒、至少一种含有铜微粒的分散媒介、和至少一种使铜微粒在分散媒介中分散的分散剂。铜微粒的中心粒径为1nm至100nm。分散媒介是沸点在150℃至250℃范围内的极性分散媒介。由此，避免当铜微粒分散体以液滴形式排出时，由于分散媒介的干燥而引起的在排出部分的堵塞，并且由于分散媒介的高沸点，粘度较低，因此使铜微粒分散体适合于以液滴形式排出。
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公开(公告)号：CN104303242B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201380025632.7
申请日：2013-02-28
Applicant: 日本石原化学株式会社
Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。
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公开(公告)号：CN104303242A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025632.7
申请日：2013-02-28
Applicant: 日本石原化学株式会社
CPC classification number: H01B13/003 , C09D11/322 , C09D11/52 , C23C18/1216 , C23C18/1295 , C23C18/14 , H01B1/026 , H01B13/322 , H05K3/105 , H05K3/1283 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , H05K2203/1476
Abstract: 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。
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公开(公告)号：CN103918037A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054251.7
申请日：2012-01-04
Applicant: 日本石原化学株式会社 , 应用纳米技术控股股份有限公司
IPC: H01B1/02
CPC classification number: C09D11/52 , C09D11/03 , C09D11/38 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H05K1/092 , H05K1/095 , H05K1/097 , H05K2203/0514 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供适合以液滴形式排出的铜微粒分散体。该铜微粒分散体包括铜微粒、至少一种含有铜微粒的分散媒介、和至少一种使铜微粒在分散媒介中分散的分散剂。铜微粒的中心粒径为1nm至100nm。分散媒介是沸点在150℃至250℃范围内的极性分散媒介。由此，避免当铜微粒分散体以液滴形式排出时，由于分散媒介的干燥而引起的在排出部分的堵塞，并且由于分散媒介的高沸点，粘度较低，因此使铜微粒分散体适合于以液滴形式排出。
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