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公开(公告)号：CN1886770B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200480034967.6
申请日：2004-11-26
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/3205 , H05B33/14
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2001/133357 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/78636
Abstract: 一种有源矩阵显示装置，包围源极配线、漏极配线及信号线而形成平坦化层，使源极配线、漏极配线及信号线实质上与平坦化层形成同一平面。
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公开(公告)号：CN101622699B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880006449.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/312 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。
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公开(公告)号：CN101563782B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780047515.5
申请日：2007-12-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社 , 宇部日东化成株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/78639
Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。
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公开(公告)号：CN100563404C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN03819972.6
申请日：2003-08-25
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4676 , H05K3/4688
Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
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公开(公告)号：CN101563782A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780047515.5
申请日：2007-12-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社 , 宇部日东化成株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/78639
Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm－x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101506985A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031095.1
申请日：2007-09-21
Applicant: 国产大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置和半导体装置的制造方法，在本发明的半导体装置中，在基板上的绝缘体层上设置槽，在该槽中形成栅极电极以使其表面与所述绝缘体层的表面大致平坦。在该栅极电极上经由栅极绝缘膜设置半导体层，使源极电极和漏极电极的至少一个与该半导体层电连接。特别是所述栅极绝缘膜具有：在所述栅极电极上设置的绝缘体涂布膜和在其上形成的绝缘体CVD膜。
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公开(公告)号：CN1961622A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017662.9
申请日：2005-02-24
CPC classification number: H05K1/024 , H05K1/0216 , H05K1/0242 , H05K3/389
Abstract: 为了提供电绝缘层间的粘合性高、并且层间电阻低的电路基板，在具有基体1上形成的第1导体层，和在该第1导体层上形成的第1电绝缘层的电路基板中，第1导体层有0.1nm以上且不足100nm的表面粗糙度Ra，在该第1导体层与第1电绝缘层之间设置以硫醇化合物为主要材料的第1底涂层。由此，可以制得第1导体层与第1电绝缘层之间的粘合性高、并且可适应于高频信号的电路基板。
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公开(公告)号：CN103222352A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180054307.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社
CPC classification number: H05K1/0237 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H05K1/024 , H05K1/181 , H05K3/4626 , H05K3/4694 , H05K2201/09727 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种多层布线基板(100)，其将高密度布线区域和高频传输区域安装于同一基板上，其中，作为至少高频传输区域使用的绝缘层的材料，通过使用介质损耗角正切(tanδ)小于0.01的树脂材料，使得能够在高频传输区域传输40GHz以上的信号频率。绝缘层由聚合性组合物形成，所述聚合性组合物含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。
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公开(公告)号：CN1799292B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200480015290.1
申请日：2004-06-01
Applicant: 日本瑞翁株式会社
CPC classification number: H05K3/107 , H05K3/0023 , H05K3/143 , H05K2201/0108
Abstract: 在透明基体上形成选择性地设置了到达该透明基体的沟的感光性透明树脂膜，在沟内设置实质上具有与感光性透明树脂膜的表面相同的表面的布线部。在将布线部覆盖在沟内之前，通过对感光性透明树脂膜表面或者沟的底面实施处理，可以迅速形成布线部，同时可以容易地控制布线部的厚度。
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公开(公告)号：CN100546438C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200580017662.9
申请日：2005-02-24
CPC classification number: H05K1/024 , H05K1/0216 , H05K1/0242 , H05K3/389
Abstract: 为了提供电绝缘层间的粘合性高、并且层间电阻低的电路基板，在具有基体1上形成的第1导体层，和在该第1导体层上形成的第1电绝缘层的电路基板中，第1导体层有0.1nm以上且不足100nm的表面粗糙度Ra，在该第1导体层与第1电绝缘层之间设置以硫醇化合物为主要材料的第1底涂层。由此，可以制得第1导体层与第1电绝缘层之间的粘合性高、并且可适应于高频信号的电路基板。
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