公开(公告)号：CN107851604B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201780002572.5

申请日：2017-02-06

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 石野智浩 ,  菊地真哉

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种能够抑制在吸附保持挠曲或翘曲程度较大的晶圆时的基板的位置偏移的真空吸附构件及真空吸附方法。在晶圆(W)载置于基体(1)的上表面侧的状态下，经由第一通气路(101)使由基体(1)的上表面、晶圆(W)的下表面及内侧环状肋(21)的内侧面围起来的内侧空间(S1)减压。接着，经由第二通气路(102)使由基体(1)的上表面、晶圆(W)的下表面、内侧环状肋(21)的外侧面及外侧环状肋(22)的内侧面围起来的外侧空间(S2)减压。

公开(公告)号：CN107437524B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201710384857.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 岩渕淳寿 ,  菊地真哉

IPC: H01L21/683 ,  B23P13/00

Abstract: 本发明提供基板保持装置及其制造方法。该基板保持装置即使研磨凸部的顶部，也能够在不使加工太过困难化的前提下抑制在凸部与基板之间存在的微粒的可能性升高。基板保持装置(100)包括：平板状的基体(10)，其具有在该基体(10)的上表面开口的通气通路(11)；以及多个凸部(20)，该多个凸部(20)自基体(10)的上表面突出形成。凸部(20)的至少上部为截头圆锥状，凸部(20)的呈截头圆锥状的部分的底角为70°以上且85°以下。

公开(公告)号：CN107851604A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201780002572.5

申请日：2017-02-06

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 石野智浩 ,  菊地真哉

IPC: H01L21/683

CPC classification number: B25B11/005 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种能够抑制在吸附保持挠曲或翘曲程度较大的晶圆时的基板的位置偏移的真空吸附构件及真空吸附方法。在晶圆(W)载置于基体(1)的上表面侧的状态下，经由第一通气路(101)使由基体(1)的上表面、晶圆(W)的下表面及内侧环状肋(21)的内侧面围起来的内侧空间(S1)减压。接着，经由第二通气路(102)使由基体(1)的上表面、晶圆(W)的下表面、内侧环状肋(21)的外侧面及外侧环状肋(22)的内侧面围起来的外侧空间(S2)减压。

公开(公告)号：CN107452665A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710379326.3

申请日：2017-05-25

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 石野智浩 ,  菊地真哉

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种基板保持装置。该基板保持装置能够谋求抑制基体、以及基体所支承的基板在槽的上方凹陷。基板保持装置(100)在形成有在上表面开口的通气孔(11)的平板状的基体(10)上形成有自基体(10)的上表面朝向上方突出的多个凸部(21)。在基体(10)上形成有在下表面开口并与通气孔(11)连通的槽(12)，在槽(12)上形成有向下方突出的多个凸部(22)。

公开(公告)号：CN107452665B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201710379326.3

申请日：2017-05-25

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 石野智浩 ,  菊地真哉

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种基板保持装置。该基板保持装置能够谋求抑制基体、以及基体所支承的基板在槽的上方凹陷。基板保持装置(100)在形成有在上表面开口的通气孔(11)的平板状的基体(10)上形成有自基体(10)的上表面朝向上方突出的多个凸部(21)。在基体(10)上形成有在下表面开口并与通气孔(11)连通的槽(12)，在槽(12)上形成有向下方突出的多个凸部(22)。

公开(公告)号：CN107437524A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710384857.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 岩渕淳寿 ,  菊地真哉

IPC: H01L21/683 ,  B23P13/00

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B25J15/0616 ,  B65G47/91 ,  B65G49/061 ,  B65G2249/04 ,  B65G2249/045 ,  H01L21/6875 ,  B23P13/00

Abstract: 本发明提供基板保持装置及其制造方法。该基板保持装置即使研磨凸部的顶部，也能够在不使加工太过困难化的前提下抑制在凸部与基板之间存在的微粒的可能性升高。基板保持装置(100)包括：平板状的基体(10)，其具有在该基体(10)的上表面开口的通气通路(11)；以及多个凸部(20)，该多个凸部(20)自基体(10)的上表面突出形成。凸部(20)的至少上部为截头圆锥状，凸部(20)的呈截头圆锥状的部分的底角为70°以上且85°以下。

公开(公告)号：CN107408530A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680017024.5

申请日：2016-11-16

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 菊地真哉 ,  小野寺教夫

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种在吸附并保持存在有翘曲或起伏等的晶圆等的基板时能够谋求可确保基板的平坦度的区域的扩张的真空卡盘。在基体(1)的表面形成有以包围连通路径(102)的环状凹陷的环状凹部(10)。在环状凹部(10)配置有环状的密封构件(2)。密封构件(2)构成为作为其一部分的第2部件(22)自环状凹部(10)突出到比基体(1)的表面的与基板抵接的部位(或由基体和基板定义的吸附平面)靠上方的位置。密封构件(2)具有能够使第2部件(22)以存在于第2部件(22)与第1部件(21)之间的间隙(20)缩小的方式倾倒到与基体(1)的表面的与晶圆(W)抵接的部位相同的高度的弹性。