公开(公告)号：CN109119372B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201810670588.X

申请日：2018-06-26

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 小野寺教夫 ,  手岛贵志

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种能够谋求长期以良好的平面度保持基板的基板保持构件。基板保持构件(1)包括：基台(10)；以及多个凸部(20)，该多个凸部(20)形成于基台(10)的上表面且能够在顶面(20a)保持基板。各凸部(20)具有自基台(10)的上表面起延伸的根部(21)和形成在根部(21)之上且包含顶面(20a)的顶部(22)。对于凸部(20)而言，根部(21)的截面积(S1)大于顶部(22)的截面积(S2)，顶部(22)的包含顶面(20a)的至少一部分由保持构件(30)形成，该保持构件(30)由杨氏模量比用于形成基台(10)的材质的杨氏模量大的材质形成，各保持构件(30)相互分开。

公开(公告)号：CN110228809A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910155069.4

申请日：2019-03-01

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 小野寺教夫 ,  佐藤敬辅 ,  佐藤良太

IPC: C01B32/963 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及SiC构件和由其构成的基板保持构件以及它们的制造方法。本发明的目的在于提供强度和耐磨损性优良的SiC构件的制造方法。其包括：通过化学气相沉积(CVD)法形成由β-SiC构成的SiC构件(10)的CVD工序步骤1；和在非活性气氛下在高于2000℃且2200℃以下的温度下对SiC构件(10)进行热处理而使β-SiC局部地转化为α-SiC的热处理工序步骤2。

公开(公告)号：CN107408530A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680017024.5

申请日：2016-11-16

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 菊地真哉 ,  小野寺教夫

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种在吸附并保持存在有翘曲或起伏等的晶圆等的基板时能够谋求可确保基板的平坦度的区域的扩张的真空卡盘。在基体(1)的表面形成有以包围连通路径(102)的环状凹陷的环状凹部(10)。在环状凹部(10)配置有环状的密封构件(2)。密封构件(2)构成为作为其一部分的第2部件(22)自环状凹部(10)突出到比基体(1)的表面的与基板抵接的部位(或由基体和基板定义的吸附平面)靠上方的位置。密封构件(2)具有能够使第2部件(22)以存在于第2部件(22)与第1部件(21)之间的间隙(20)缩小的方式倾倒到与基体(1)的表面的与晶圆(W)抵接的部位相同的高度的弹性。

公开(公告)号：CN109119372A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810670588.X

申请日：2018-06-26

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 小野寺教夫 ,  手岛贵志

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种能够谋求长期以良好的平面度保持基板的基板保持构件。基板保持构件(1)包括：基台(10)；以及多个凸部(20)，该多个凸部(20)形成于基台(10)的上表面且能够在顶面(20a)保持基板。各凸部(20)具有自基台(10)的上表面起延伸的根部(21)和形成在根部(21)之上且包含顶面(20a)的顶部(22)。对于凸部(20)而言，根部(21)的截面积(S1)大于顶部(22)的截面积(S2)，顶部(22)的包含顶面(20a)的至少一部分由保持构件(30)形成，该保持构件(30)由杨氏模量比用于形成基台(10)的材质的杨氏模量大的材质形成，各保持构件(30)相互分开。

公开(公告)号：CN303716599S

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201630038691.4

申请日：2016-02-02

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Designer： 石野智浩 ,  小野寺教夫

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：真空吸盘。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承托、保持半导体晶圆。3．本外观设计产品的设计要点：在于形状，尤其是临近外周同心布置的肋状物。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。5．省略视图：左视图与右视图对称，省略左视图。

公开(公告)号：CN303708622S

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201630038692.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Designer： 石野智浩 ,  小野寺教夫

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：真空吸盘。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承托、保持半导体晶圆。3．本外观设计产品的设计要点：在于形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。5．省略视图：左视图与右视图对称，省略左视图。

公开(公告)号：CN303708621S

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201630038690.X

申请日：2016-02-02

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Designer： 石野智浩 ,  小野寺教夫

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：真空吸盘。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承托、保持半导体晶圆。3．本外观设计产品的设计要点：在于形状，尤其是临近外周同心布置的两个肋状物。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。5．省略视图：左视图与右视图对称，省略左视图。