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公开(公告)号：CN110228809A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910155069.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: C01B32/963 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及SiC构件和由其构成的基板保持构件以及它们的制造方法。本发明的目的在于提供强度和耐磨损性优良的SiC构件的制造方法。其包括：通过化学气相沉积(CVD)法形成由β-SiC构成的SiC构件(10)的CVD工序步骤1；和在非活性气氛下在高于2000℃且2200℃以下的温度下对SiC构件(10)进行热处理而使β-SiC局部地转化为α-SiC的热处理工序步骤2。
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