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公开(公告)号：CN104981890A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201480008053.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02485 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/03923 , H01L31/03928 , H01L31/065 , H01L31/0749 , Y02E10/50 , Y02E10/541 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜以及使用该CIGS膜来抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池。用作该CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜具有：第1区域，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；第2区域，随着从该第1区域上至规定的第1厚度位置为止变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而，在上述第2区域上具有向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域。
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公开(公告)号：CN104603957B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201380043997.2
申请日：2013-06-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 为了提供转换效率高的化合物太阳能电池以及能够以低成本制造其的方法，提供在基板1上具备CIGS光吸收层3、缓冲层5和表面电极层6的化合物太阳能电池，在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间，设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4。Zn(OX，S1‑X)···(1)(其中，X为0.9
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公开(公告)号：CN104137273A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010237.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L31/18 , C23C14/0623 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/3464 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , H01J37/34 , H01J37/3417 , H01L31/0322 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 为了提供能够以低成本制造高转换效率的化合物太阳能电池的方法，假定相对于基板(1)的层形成面垂直状延伸的假想中心轴X时，在该假想中心轴X的两侧，以相对的状态配置2张溅射用阴极靶材(6)、(6’)，并通过使用高频(RF)电源、或组合使用直流(DC)电源和高频(RF)电源的溅射法来进行缓冲层的形成。
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公开(公告)号：CN104603957A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380043997.2
申请日：2013-06-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 为了提供转换效率高的化合物太阳能电池以及能够以低成本制造其的方法，提供在基板1上具备CIGS光吸收层3、缓冲层5和表面电极层6的化合物太阳能电池，在CIGS光吸收层3与缓冲层5之间，设置有由下述通式(1)所示组成的混晶形成的界面层4。Zn(OX，S1-X)···(1)(其中，X为0.9
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公开(公告)号：CN103765604A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042573.X
申请日：2012-09-05
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 为了提供即使在制造大面积元件时，也能低成本、再现性好地制造转换效率优异的CIGS膜的CIGS膜的制法和包括其的CIGS太阳能电池的制法，本发明包括：层叠工序，其中，在基板上以固相状态依次层叠包含铟、镓和硒的层（A）以及包含铜和硒的层（B）；加热工序，其中，对层叠了上述层（A）和层（B）的层叠体进行加热，使上述层（B）的铜和硒的化合物熔融并呈液相状态，由此使上述层（B）中的铜扩散到上述层（A）中，使晶体生长得到CIGS膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104137272B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380010209.X
申请日：2013-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0328 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 一种CIGS化合物太阳能电池，其为了提供具有高转换效率的CIGS系化合物太阳能电池而在基板1上依次具备背面电极层2、CIGS光吸收层3、缓冲层4和透明电极层5，其中，上述缓冲层4由IIA族金属与Zn氧化物的混晶形成，上述混晶的由X射线衍射所显示的特性满足下述式(1)。0.5≤A/(A+B+C)＜1(1)(其中，A、B、C均不为0)。A：(002)面的峰强度；B：(100)面的峰强度；C：(101)面的峰强度。
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公开(公告)号：CN104995749A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008166.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0296 , C01B19/04 , C23C14/06 , H01L21/363
CPC classification number: H01L31/03923 , C23C14/06 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种CIGS系太阳能电池，其生产效率和转换效率这两特性优异，其在基板(1)上依次具备CIGS光吸收层(3)、缓冲层(4)、透明电极层(5)，使上述缓冲层(4)含包含ZnO、MgO、ZnS的混晶。
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公开(公告)号：CN104969329A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007631.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L31/03923 , H01L21/02485 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜的制法、以及使用该CIGS膜的制法来制造抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池的方法。该用作CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜的形成具有下述工序：形成第1区域的工序，所述第1区域中，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；以及第2区域的工序，随着从该第1区域上至规定的第1厚度位置变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而具有形成第3区域的工序，所述第3区域为通过在上述第2区域上蒸镀Se和In，由此向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少。
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公开(公告)号：CN104137272A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010209.X
申请日：2013-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0328 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 一种CIGS化合物太阳能电池，其为了提供具有高转换效率的CIGS系化合物太阳能电池而在基板(1)上依次具备背面电极层(2)、CIGS光吸收层(3)、缓冲层(4)和透明电极层(5)，其中，上述缓冲层(4)由IIa族金属与Zn氧化物的混晶形成，上述混晶的由X射线衍射所显示的特性满足下述式(1)。0.5≤A/(A+B+C)
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公开(公告)号：CN104981890B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201480008053.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02485 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/03923 , H01L31/03928 , H01L31/065 , H01L31/0749 , Y02E10/50 , Y02E10/541 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜以及使用该CIGS膜来抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池。用作该CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜具有：第1区域，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；第2区域，随着从该第1区域上至规定的第2厚度位置为止变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而，在上述第2区域上具有向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域。
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