一种印制板差分信号线阻抗测量方法

    公开(公告)号:CN113125855B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202110447068.4

    申请日:2021-04-25

    Abstract: 本发明提供一种印制板差分信号线阻抗测量方法,涉及印制电路板技术领域,包括以下步骤:S1:判断被测量分线是否在电路板表层,是则垫高放置测试台上;反则直接放置测试台上;S2:使用连接至TDR测试机的差分探头,获取检测波形曲线;S3:判断被测差分线前端是否为BGA或者连接器引出区域,是则执行S4;反则执行S5;S4:得到避开时间值,检测波形曲线的前避开时间值内的曲线为无效曲线;S5:获取有效曲线中的前预定长度值内的阻抗值曲线,取平均值。本发明合理有效,综合考虑高速信号本身高频特性对阻抗测量精度的影响,并有效克服信号频率、温度、材质以及差分线连接区域的影响,可以精确有效的获取印制板差分信号线阻抗。

    一种基于双中板正交与非正交异构互连的H型组装方法

    公开(公告)号:CN110727631A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910863825.9

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于双中板正交与非正交异构互连的H型组装方法。包括将左中板、右中板垂直放置并且将左中板、右中板的一端相互靠近,使左中板、右中板能够形成一个面;在左中板前后两侧面中远离右中板的一侧与右中板前后两侧面中远离左中板的一侧分别水平等数量放置节点插件;在左中板、右中板相互靠近处的一侧面上水平放置若干水平交换插件,使水平交换插件能够同时与左中板、右中板连接,在左中板、右中板相互靠近处的另一侧面上垂直放置若干垂直交换插件,使左中板、右中板上均设置有垂直交换插件。本发明提高节点与交换芯片组装密度,降低节点与交换芯片互连传输距离,提高了互连速率。

    一种细节距BGA新型封装结构与滤波电容设计方法

    公开(公告)号:CN110676185A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910865330.X

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种细节距BGA新型封装结构与滤波电容设计方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、设计BGA封装基板正面安装滤波电容;(2)、设计BGA封装引脚分配;(3)、设计封装基板背面的滤波电容布设区域。采用本新型BGA封装结构与滤波电容设计方法,解决了因细节距BGA封装焊球高度受限带来的封装电容布局难题,为细节距BGA封装增加了封装背面电容,有效降低了封装电源分配系统电源阻抗特性,达到提高封装电源完整性的目的。

    一种基于双中板正交与非正交异构互连的H型组装方法

    公开(公告)号:CN110727631B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN201910863825.9

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于双中板正交与非正交异构互连的H型组装方法。包括将左中板、右中板垂直放置并且将左中板、右中板的一端相互靠近,使左中板、右中板能够形成一个面;在左中板前后两侧面中远离右中板的一侧与右中板前后两侧面中远离左中板的一侧分别水平等数量放置节点插件;在左中板、右中板相互靠近处的一侧面上水平放置若干水平交换插件,使水平交换插件能够同时与左中板、右中板连接,在左中板、右中板相互靠近处的另一侧面上垂直放置若干垂直交换插件,使左中板、右中板上均设置有垂直交换插件。本发明提高节点与交换芯片组装密度,降低节点与交换芯片互连传输距离,提高了互连速率。

    一种封装与印制板级分布式电源压降仿真方法

    公开(公告)号:CN113361227B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202110692443.1

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明提供一种封装与印制板级分布式电源压降仿真方法,属于电源完整性设计技术领域。该封装与印制板级分布式电源压降仿真方法包括如下步骤:S1:将芯片划分为多个功能分区;S2:将每个功能分区分别设置为一级电流源备选网格和二级电流源备选网格其中的一种;S3:将一级电流源备选网格按照集总仿真方式设置电流源,对一级电流源备选网格开展初次仿真并获取一级电流源备选网格的平均电流IAVE分界线;S4:根据平均电流IAVE分界线将一级电流源备选网格内的电流>平均电流IAVE的所有BUMPs做成PIN GROUP并添加电流源;将二级电流源备选网格按照常规仿真方式设置电流源;对芯片执行最终仿真,得到最终直流压降仿真结果。本发明解决单体电流源内部等电势问题。

    一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法

    公开(公告)号:CN110717308B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN201910864145.9

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本发明提供一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法,涉及存储设计技术领域,该方法包括以下步骤:S1:根据ASIC电路访存需求统计,评估存储系统可复用的设计规模;S2:判断是否为芯片研发阶段,若是则将芯片存储部进行对称布局;反之执行S3;S3:判断是否为封装设计阶段,若是则将封装存储部进行对称布局;反之执行S4;S4:判断是否为系统设计阶段,若是则将系统存储部进行对称布局;反之执行S5;S5:通知设计者对ASIC电路进行手动象限布局。本发明一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法通过芯片、封装和系统多层级的模块化可复用设计,从多个层级扩大可复用设计范围并统一加速总体设计进度,同时有利于减小未来对SI/PI后仿真分析的需求。

    一种封装与印制板级分布式电源压降仿真方法

    公开(公告)号:CN113361227A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110692443.1

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明提供一种封装与印制板级分布式电源压降仿真方法,属于电源完整性设计技术领域。该封装与印制板级分布式电源压降仿真方法包括如下步骤:S1:将芯片划分为多个功能分区;S2:将每个功能分区分别设置为一级电流源备选网格和二级电流源备选网格其中的一种;S3:将一级电流源备选网格按照集总仿真方式设置电流源,对一级电流源备选网格开展初次仿真并获取一级电流源备选网格的平均电流IAVE分界线;S4:根据平均电流IAVE分界线将一级电流源备选网格内的电流>平均电流IAVE的所有BUMPs做成PIN GROUP并添加电流源;将二级电流源备选网格按照常规仿真方式设置电流源;对芯片执行最终仿真,得到最终直流压降仿真结果。本发明解决单体电流源内部等电势问题。

    一种混合pitch封装引脚设计的芯片

    公开(公告)号:CN113345859A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110447006.3

    申请日:2021-04-25

    Abstract: 本发明提供一种混合pitch封装引脚设计的芯片,涉及印制电路板技术领域,包括:由N个边缘引脚和1个中心引脚组成的引脚单元;N个边缘引脚排列成N边形,中心引脚位于N边形的中心;N边形的边长根据芯片的封装引脚所允许的最小间距确定。本发明合理有效,通过在多个方向交错排列封装引脚,在满足表面焊接工艺能力约束即不突破最小封装引脚pitch(中心距)的条件下,有效提高封装引脚排列密度,进而压缩封装尺寸,避免了因封装尺寸过大所导致的封装翘曲及焊接可靠性问题,从而可以有效提升封装的长期稳定性。

    一种孔线阻抗匹配的高速信号反盘设计方法

    公开(公告)号:CN113255286A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110446999.2

    申请日:2021-04-25

    Abstract: 本发明提供一种孔线阻抗匹配的高速信号反盘设计方法,涉及集成电路设计技术领域,包括以下步骤:S1:获取高速传输链路阻抗范围以及步进值;S2:初始化目标阻抗值为最大阻抗值;S3:搭建目标阻抗值下的差分过孔和差分传输线模型;S4:计算该目标阻抗值下的最优反盘图形设计和差分传输线的总插入损耗值;S5:判断目标阻抗值是否大于最小阻抗值;若是,则将目标阻抗值减小步进值,并返回S3;反则执行S6;S6:对比所有目标阻抗下的总插入损耗值,选取总插入损耗值最小时的高速过孔结构作为反盘最优结构。本发明合理有效,结合工程设计要求和实际工艺能力,综合考虑多维参数,实现高速信号传输线阻抗与孔阻抗整体优化,确定传输线结构和高速过孔反盘设计图形,降低回波损耗,最终有效提升高速信号链路的传输性能。

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