公开(公告)号：CN102543884B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201010593583.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王智勇 ,  王德进 ,  张磊

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明实施例公开了一种OTP器件制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅；通过预沉积和主沉积两个工艺过程在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层；其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度。通过本发明所提供的OTP器件制造方法，能够在所述浮栅上形成较厚的硅化金属阻挡层，从而可避免后续等离子体的轰击而形成较多的损伤和缺陷，在OTP器件被编程后，可避免浮栅中的电荷泄露出去，避免了漏电流的增加，进而提高了OTP器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN102543884A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010593583.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王智勇 ,  王德进 ,  张磊

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明实施例公开了一种OTP器件制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅；通过预沉积和主沉积两个工艺过程在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层；其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度。通过本发明所提供的OTP器件制造方法，能够在所述浮栅上形成较厚的硅化金属阻挡层，从而可避免后续等离子体的轰击而形成较多的损伤和缺陷，在OTP器件被编程后，可避免浮栅中的电荷泄露出去，避免了漏电流的增加，进而提高了OTP器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN105097776A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410178535.8

申请日：2014-04-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王智勇 ,  王德进 ,  马晶晶

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层结构，包括覆盖金属互连的富硅氧化物层、富硅氧化物层上的氟硅玻璃层、及氟硅玻璃层上的非掺杂硅酸盐玻璃层，所述富硅氧化物层的厚度为700埃±10％。本发明还涉及一种绝缘体上硅器件，以及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层的制造方法。本发明厚度较大的富硅氧化物层可以将可动离子俘获在不饱和键上，使得可动离子难以穿过富硅氧化物层，实现了阻挡可动离子的目的。在栅氧化层完整性评估中有良好的表现，避免了可动离子在界面处的聚集造成器件的损坏。

公开(公告)号：CN104299924A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310306116.3

申请日：2013-07-19

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 马晶晶 ,  周耀辉 ,  王智勇

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/2633 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法，其包括：采用刻蚀气体对顶层硅进行刻蚀；在刻蚀过程中，通过刻蚀腔体内的分光光度计检测对应于反应产物的光发射谱的强度来判断反应产物的浓度；当顶层硅被刻蚀完毕刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时，反应产物的浓度会迅速降低；当反应物浓度降低到某一设定值时刻蚀过程自动停止；选用适当比例的混合气体过刻蚀适当时间，保证浅槽隔离底部无硅残留并对底部拐角处进行平滑处理。本发明的方法当刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时，主刻蚀过程及时停止，避免了对SOI的侧向过刻蚀。对于不同顶层硅厚度的SOI衬底，只需一个刻蚀菜单就可以保证浅槽隔离底部没有硅残留。

公开(公告)号：CN105097776B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201410178535.8

申请日：2014-04-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王智勇 ,  王德进 ,  马晶晶

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层结构，包括覆盖金属互连的富硅氧化物层、富硅氧化物层上的氟硅玻璃层、及氟硅玻璃层上的非掺杂硅酸盐玻璃层，所述富硅氧化物层的厚度为700埃±10％。本发明还涉及一种绝缘体上硅器件，以及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层的制造方法。本发明厚度较大的富硅氧化物层可以将可动离子俘获在不饱和键上，使得可动离子难以穿过富硅氧化物层，实现了阻挡可动离子的目的。在栅氧化层完整性评估中有良好的表现，避免了可动离子在界面处的聚集造成器件的损坏。