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公开(公告)号：CN102737993B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110081951.2
申请日：2011-04-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例公开了一种沟槽DMOS器件及其制造方法，该方法包括：提供基底；在外延层表面内形成沟槽，在沟槽内形成栅区；在外延层表面上形成第一介质层，在外延层表面内形成体区和分压环；在具有分压环图形开口的第一介质层表面上形成分压环侧墙；以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，在所述体区表面内形成源区。本发明通过一次光刻在第一介质层上形成体区图形和分压环图形，以定义体区的注入区域，之后以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，形成源区，即形成体区和源区的过程中只需一次光刻步骤即可，即本发明实施例的方法形成TDMOS器件的有源区过程只需两次光刻，较现有技术中减少了一次光刻步骤，减少了TDMOS器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN102074454A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910226101.X
申请日：2009-11-20
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀工艺的监控方法及系统，该方法包括步骤：获取刻蚀机台的空闲时间；设定两个特定时间，其中第一特定时间小于第二特定时间；当空闲时间小于第一特定时间且连续刻蚀晶片数量大于预定量时，或当空闲时间大于第二特定时间，则对一模拟片进行刻蚀、切片测量，合格后进行晶片的刻蚀，不合格则对刻蚀参数进行调整并再次对模拟片进行刻蚀、切片测量至合格；当空闲时间大于第一特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀模拟片从而保持机台处于持续工作状态。本发明可以对刻蚀工艺进行监控，从而降低了刻蚀产生缺陷的可能，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102737993A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110081951.2
申请日：2011-04-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例公开了一种沟槽DMOS器件及其制造方法，该方法包括：提供基底；在外延层表面内形成沟槽，在沟槽内形成栅区；在外延层表面上形成第一介质层，在外延层表面内形成体区和分压环；在具有分压环图形开口的第一介质层表面上形成分压环侧墙；以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，在所述体区表面内形成源区。本发明通过一次光刻在第一介质层上形成体区图形和分压环图形，以定义体区的注入区域，之后以具有分压环侧墙的第一介质层为掩膜，形成源区，即形成体区和源区的过程中只需一次光刻步骤即可，即本发明实施例的方法形成TDMOS器件的有源区过程只需两次光刻，较现有技术中减少了一次光刻步骤，减少了TDMOS器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN102299052A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010213822.X
申请日：2010-06-22
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/68
Abstract: 一种晶片的制作方法，包括对所述晶片的正面进行贴膜后进行研磨，然后揭除覆盖于晶片正面的贴膜，最后对背面进行蚀刻，以形成凹凸不平的背面，最后对所述背面蒸镀一层金属界面。本发明通过在对晶片的背面进行湿法蚀刻之前，将正面所覆盖的贴膜进行揭除，避免了正面贴膜的翘曲处对蚀刻溶液形成的钻蚀现象，解决了晶片背面处理后晶片正面表面颜色不一致的问题。
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公开(公告)号：CN102064132A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910234465.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括步骤：提供MOS器件，在所述第一扩散区和栅极区上具有介质层，且分别具有贯穿所述介质层的第一和第二接触孔，所述第二接触孔数量少于所述第一接触孔数量；形成金属层，直到所述第一、第二接触孔被完全填充，从而形成第一扩散区上的第一互连插塞和栅极区上的第二互连插塞；对所述金属层进行化学机械研磨；对所述介质层进行化学机械研磨；在第一扩散区对应的介质层和第一互连插塞上形成第一扩散区金属衬垫，在栅极区对应的介质层和第二互连插塞上形成栅极金属衬垫。本发明提高了半导体器件的封装良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104882479A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410073866.5
申请日：2014-02-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的HVPMOS器件及其制造方法，所述HVPMOS器件包括：P型衬底，设置在底部；缓冲层，设置在所述P型衬底上方；N型阱区，设置在所述缓冲层上方；侧面隔离区，设置在所述N型阱区外侧；栅极，设置在所述N型阱区之上；源区，设置在所述栅极左侧；漏区，设置在所述栅极右侧，所述漏区包括位于N型阱区内的漂流层，设置在所述漂流层上方的场氧化层和P型重掺杂区；其特征在于，在所述HVPMOS器件的漂流层有P型杂质注入，所述P型杂质注入面密度为(1.2-1.6)×1014cm-2量级。通过在漂移区进行P型杂质注入的浓度，可以非常有效地减低HVPMOS器件的导通电阻和提高击穿电压等性能参数。
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公开(公告)号：CN102403225A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010275941.8
申请日：2010-09-07
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置，包括如下步骤：掺杂；注胶和研磨；刻蚀；清洗；热处理；溅射。经过在背面的处理工艺，采用热处理过程后，通过对晶圆片探测数据，有效的改善沟渠双扩散金属氧化半导体没有出现源漏(源极和漏极)软击穿失效的情况。同时相对应所采取的装置是通过现有的高温炉就可以实现，不需要特别的购买新设备或专门的设备，因此节省了成本，提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN102054775B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910209357.X
申请日：2009-11-04
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括步骤：提供MOS器件，在所述第一扩散区和栅极区上具有介质层，且分别具有贯穿所述介质层的第一和第二接触孔，所述第二接触孔数量少于所述第一接触孔数量；形成金属层，直到所述第一、第二接触孔被完全填充，从而形成第一扩散区上的第一互连插塞和栅极区上的第二互连插塞；对所述金属层进行化学机械研磨；对所述介质层进行刻蚀；在第一扩散区对应的介质层和第一互连插塞上形成第一扩散区金属衬垫，在栅极区对应的介质层和第二互连插塞上形成栅极金属衬垫。本发明提高了半导体器件的封装良率。
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公开(公告)号：CN102403225B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201010275941.8
申请日：2010-09-07
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置，包括如下步骤：掺杂；注胶和研磨；刻蚀；清洗；热处理；溅射。经过在背面的处理工艺，采用热处理过程后，通过对晶圆片探测数据，有效的改善沟渠双扩散金属氧化半导体没有出现源漏(源极和漏极)软击穿失效的情况。同时相对应所采取的装置是通过现有的高温炉就可以实现，不需要特别的购买新设备或专门的设备，因此节省了成本，提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN102074454B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910226101.X
申请日：2009-11-20
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀工艺的监控方法及系统，该方法包括步骤：获取刻蚀机台的空闲时间；设定两个特定时间，其中第一特定时间小于第二特定时间；当空闲时间小于第一特定时间且连续刻蚀晶片数量大于预定量时，或当空闲时间大于第二特定时间，则对一模拟片进行刻蚀、切片测量，合格后进行晶片的刻蚀，不合格则对刻蚀参数进行调整并再次对模拟片进行刻蚀、切片测量至合格；当空闲时间大于第一特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀模拟片从而保持机台处于持续工作状态。本发明可以对刻蚀工艺进行监控，从而降低了刻蚀产生缺陷的可能，降低了成本。
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