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公开(公告)号：CN104882479A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410073866.5
申请日：2014-02-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的HVPMOS器件及其制造方法，所述HVPMOS器件包括：P型衬底，设置在底部；缓冲层，设置在所述P型衬底上方；N型阱区，设置在所述缓冲层上方；侧面隔离区，设置在所述N型阱区外侧；栅极，设置在所述N型阱区之上；源区，设置在所述栅极左侧；漏区，设置在所述栅极右侧，所述漏区包括位于N型阱区内的漂流层，设置在所述漂流层上方的场氧化层和P型重掺杂区；其特征在于，在所述HVPMOS器件的漂流层有P型杂质注入，所述P型杂质注入面密度为(1.2-1.6)×1014cm-2量级。通过在漂移区进行P型杂质注入的浓度，可以非常有效地减低HVPMOS器件的导通电阻和提高击穿电压等性能参数。
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