公开(公告)号：CN106783651A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201510808522.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 李晓丽 ,  王金成 ,  孙威 ,  王佳龙

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种确定半导体器件失效位置的方法，包括步骤S1：对所述半导体器件进行失效位置分析，以找到目标位置；步骤S2：在所述目标位置所在的平面上、在所述目标位置的周围制作若干第一标识，以标记所述目标位置；步骤S3：以所述第一标识为标记对所述目标位置进行定位，并在所述半导体器件中制备包含所述目标位置的切片样品，露出所述切片样品的底部，并且在露出的所述底部上制作第二标识，以在失效分析中定位所述目标位置；步骤S4：将包含所述目标位置和所述第二标识的切片样品从所述半导体器件中分离，以得到独立的切片样品；步骤S5：根据所述第二标识的位置确定所述目标位置，并对所述目标位置进行TEM分析。

公开(公告)号：CN103187239A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110451503.7

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王金成 ,  张伟

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02076 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种去除芯片上锡球的方法。该方法包括：将其上设置有锡球的芯片放置在腐蚀液中浸泡，其中，所述腐蚀液是通过将浓度为70％的硝酸溶液与去离子水按1∶1的体积比配置而成的；取出所述芯片并使用水进行冲洗；将所述芯片放置在盛放有水的容器中进行超声波震荡清洗。本发明的方法通过使用浓度为70％的硝酸溶液与去离子水按1∶1的体积比配置的腐蚀液，可以完全将芯片表面的锡球去除，并且不会对焊垫产生影响。

公开(公告)号：CN103187239B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110451503.7

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王金成 ,  张伟

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02076 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种去除芯片上锡球的方法。该方法包括：将其上设置有锡球的芯片放置在腐蚀液中浸泡，其中，所述腐蚀液是通过将浓度为70％的硝酸溶液与去离子水按1∶1的体积比配置而成的；取出所述芯片并使用水进行冲洗；将所述芯片放置在盛放有水的容器中进行超声波震荡清洗。本发明的方法通过使用浓度为70％的硝酸溶液与去离子水按1∶1的体积比配置的腐蚀液，可以完全将芯片表面的锡球去除，并且不会对焊垫产生影响。