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公开(公告)号：CN106783651A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510808522.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种确定半导体器件失效位置的方法，包括步骤S1：对所述半导体器件进行失效位置分析，以找到目标位置；步骤S2：在所述目标位置所在的平面上、在所述目标位置的周围制作若干第一标识，以标记所述目标位置；步骤S3：以所述第一标识为标记对所述目标位置进行定位，并在所述半导体器件中制备包含所述目标位置的切片样品，露出所述切片样品的底部，并且在露出的所述底部上制作第二标识，以在失效分析中定位所述目标位置；步骤S4：将包含所述目标位置和所述第二标识的切片样品从所述半导体器件中分离，以得到独立的切片样品；步骤S5：根据所述第二标识的位置确定所述目标位置，并对所述目标位置进行TEM分析。
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公开(公告)号：CN104165922A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310188813.3
申请日：2013-05-17
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片表面金属元素的测量方法，包括以下步骤：提供待检测的硅片，并采用腐蚀液对所述硅片的表面进行腐蚀得到样品液；将所述样品液气溶胶化，得到样品液的气溶胶；除去所述样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶；将所述金属元素的气溶胶电离形成金属元素的等离子体；检测所述金属元素的等离子体中金属元素的含量。上述硅片表面金属元素的测量方法，在得到样品液的气溶胶后，通过去除样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶，减少了溶剂元素相互结合或与等离子体结合形成多原子干扰的几率。相比于传统的金属含量测试的方法，上述硅片表面金属元素的测量方法分析速度快且稳定性好。
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公开(公告)号：CN104165922B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310188813.3
申请日：2013-05-17
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片表面金属元素的测量方法，包括以下步骤：提供待检测的硅片，并采用腐蚀液对所述硅片的表面进行腐蚀得到样品液；将所述样品液气溶胶化，得到样品液的气溶胶；除去所述样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶；将所述金属元素的气溶胶电离形成金属元素的等离子体；检测所述金属元素的等离子体中金属元素的含量。上述硅片表面金属元素的测量方法，在得到样品液的气溶胶后，通过去除样品液的气溶胶中的溶剂分子，得到金属元素的气溶胶，减少了溶剂元素相互结合或与等离子体结合形成多原子干扰的几率。相比于传统的金属含量测试的方法，上述硅片表面金属元素的测量方法分析速度快且稳定性好。
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